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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1172281STK795Regulador De Voltaje Del Tipo Del InterruptorSANYO
1172282STK8250ENERGÍA MÍNIMA AMPERIO DE 50CW AFSANYO
1172283STK830FMosfet Avanzado De la EnergíaAUK Corp
1172284STK830FCMosfet Avanzado De la EnergíaAUK Corp
1172285STK85C161, El controlador LCD 2,5-3,5 VSyntek Semiconductor
1172286STK88C24412.5 a 5.5 V, el controlador de vozSyntek Semiconductor
1172287STK88C40502.5 a 5.5 V, el controlador de vozSyntek Semiconductor
1172288STK88C48312,5-3,5 V, controlador de vozSyntek Semiconductor
1172289STKM2000CÉLULAS ESTÁNDARES Análogas-digital MEZCLADAS del METAL BiCMOS De 2m/2 POLY/2ST Microelectronics
1172290STKM2000CÉLULAS ESTÁNDARES Análogas-digital MEZCLADAS del METAL BiCMOS De 2m/2 POLY/2SGS Thomson Microelectronics
1172291STKM2000-SERIES2 METAL BiCMOS, CÉLULAS ESTÁNDARES Análogas-digital MEZCLADAS De m/2 POLY/2SGS Thomson Microelectronics
1172292STL100N10F7Canal N 100 V, 0,0062 Ohm típ. 19 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de la energía en un PowerFLAT (TM) paquete 5x6ST Microelectronics
1172293STL100N1VH5Canal N 12 V, 0,0022 Ohm tip., 25 A STripFET (TM) V Power MOSFET en PowerFLAT (TM) paquete 5x6ST Microelectronics
1172294STL100N6LF6Canal N 60 V, 0,0038 Ohm típ. 22 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en PowerFLAT (TM) paquete 5x6ST Microelectronics
1172295STL105NS3LLH7N-canal 30 V, 0,0032 Ohm típ. 27 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia, además de Schottky monolítico en un PowerFLAT (TM) 5x6ST Microelectronics
1172296STL10DN15F3Canal N 150 V, 0,20 Ohm tip., 2.8 A STripFET (TM) III Power MOSFET en un PowerFLAT (TM) 5x6 paquete doble de la islaST Microelectronics
1172297STL10N3LLH5Canal N 30 V, 0.015 Ohm, 9 A, PowerFLAT (TM) 3.3x3.3 STripFET (TM) V MOSFETST Microelectronics
1172298STL10N60M2Canal N 600 V, 0,58 Ohm tip., 5.5 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en un (TM) paquete HV 5x6 PowerFLATST Microelectronics
1172299STL110N10F7Canal N 100 V, 0,0063 Ohm tip., 100 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en un paquete 5x6 PowerFLATST Microelectronics



1172300STL110NS3LLH7N-canal 30 V, 0,0027 Ohm típ. 28 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia, además de Schottky monolítico en un PowerFLAT (TM) 5x6ST Microelectronics
1172301STL11N3LLH6Canal N 30 V, 0.006 Ohm tip., 11 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de la energía en un PowerFLAT (TM) 3.3 x 3.3 paqueteST Microelectronics
1172302STL11N4LLF5N-canal 40 V, 9.1 mOhm tip., 15 A STripFET (TM) V en un (TM) paquete 3.3x3.3 PowerFLATST Microelectronics
1172303STL120N2VH5N-canal 20 V, 0.002 Ohm, 28 A STripFET (TM) V Power MOSFET en PowerFLAT (TM) paquete 5x6ST Microelectronics
1172304STL128DAlta tensión de conmutación rápida transistor NPN de potenciaST Microelectronics
1172305STL128DNAlto voltaje de conmutación rápida transistor NPN de potenciaST Microelectronics
1172306STL128DNFPAlto voltaje de conmutación rápida transistor NPN de potenciaST Microelectronics
1172307STL12N65M5N-canal de 650 V, 0.475 Ohm tip., 8.5 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en un PowerFLAT (TM) paquete HV 5x6ST Microelectronics
1172308STL12P6F6P-canal 60 V, 0.13 Ohm tip., 3 A STripFET F6 Power MOSFET en un paquete 5x6 PowerFLATST Microelectronics
1172309STL130N8F7Canal N 80 V, 3 mOhm tip., 130 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete 5x6 PowerFLATST Microelectronics
1172310STL13DP10F6100 V doble canal P-, 0.136 Ohm tip., 3.3 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de la energía en un PowerFLAT (TM) 5x6 doble de la islaST Microelectronics
1172311STL13N60M2Canal N 600 V, 0,39 Ohm tip., 7 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en un paquete HV 5x6 PowerFLATST Microelectronics
1172312STL13NM60NCanal N 600 V, 0.320 Ohm tip., 10 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en PowerFLAT (TM) paquete HV 8x8ST Microelectronics
1172313STL140N4LLF5Canal N 40 V, 0.00275 Ohm, 32 A, PowerFLAT (TM) STripFET 5x6 (TM) V MOSFETST Microelectronics
1172314STL150N3LLH5Canal N 30 V, 0,0014 Ohm tip., 35 A STripFET (TM) V Power MOSFET en PowerFLAT (TM) paquete 5x6ST Microelectronics
1172315STL150N3LLH6Canal N 30 V, 0,0016 Ohm tip., 33 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en PowerFLAT (TM) paquete 5x6ST Microelectronics
1172316STL15DN4F5Automotive grado doble de canal N 40 V, 8 mOhm tip., 15 A STripFET F5 Power MOSFET en PowerFLAT 5x6 paquete doble de la islaST Microelectronics
1172317STL15N65M5N-canal de 650 V, 0.335 Ohm tip., 10 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en un PowerFLAT (TM) paquete HV 5x6ST Microelectronics
1172318STL160N3LLH6Canal N 30 V, 0,0011 Ohm tip., 45 A STripFET (TM) H6 Power MOSFET en un PowerFLAT (TM) paquete 5x6ST Microelectronics
1172319STL160NS3LLH7Canal N 30 V, 0,0016 Ohm tip., 160 A STripFET H7 MOSFET de potencia, además de Schottky monolítico en un (TM) paquete 5x6 PowerFLATST Microelectronics
1172320STL16N65M5Canal N 650 V, 0,27 Ohm tip., 2 A MDmesh (TM) MOSFET de potencia V en PowerFLAT (TM) paquete HV 8x8ST Microelectronics
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