Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1172281 | STK795 | Regulador De Voltaje Del Tipo Del Interruptor | SANYO |
1172282 | STK8250 | ENERGÍA MÍNIMA AMPERIO DE 50CW AF | SANYO |
1172283 | STK830F | Mosfet Avanzado De la Energía | AUK Corp |
1172284 | STK830FC | Mosfet Avanzado De la Energía | AUK Corp |
1172285 | STK85C161 | , El controlador LCD 2,5-3,5 V | Syntek Semiconductor |
1172286 | STK88C2441 | 2.5 a 5.5 V, el controlador de voz | Syntek Semiconductor |
1172287 | STK88C4050 | 2.5 a 5.5 V, el controlador de voz | Syntek Semiconductor |
1172288 | STK88C4831 | 2,5-3,5 V, controlador de voz | Syntek Semiconductor |
1172289 | STKM2000 | CÉLULAS ESTÁNDARES Análogas-digital MEZCLADAS del METAL BiCMOS De 2m/2 POLY/2 | ST Microelectronics |
1172290 | STKM2000 | CÉLULAS ESTÁNDARES Análogas-digital MEZCLADAS del METAL BiCMOS De 2m/2 POLY/2 | SGS Thomson Microelectronics |
1172291 | STKM2000-SERIES | 2 METAL BiCMOS, CÉLULAS ESTÁNDARES Análogas-digital MEZCLADAS De m/2 POLY/2 | SGS Thomson Microelectronics |
1172292 | STL100N10F7 | Canal N 100 V, 0,0062 Ohm típ. 19 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de la energía en un PowerFLAT (TM) paquete 5x6 | ST Microelectronics |
1172293 | STL100N1VH5 | Canal N 12 V, 0,0022 Ohm tip., 25 A STripFET (TM) V Power MOSFET en PowerFLAT (TM) paquete 5x6 | ST Microelectronics |
1172294 | STL100N6LF6 | Canal N 60 V, 0,0038 Ohm típ. 22 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en PowerFLAT (TM) paquete 5x6 | ST Microelectronics |
1172295 | STL105NS3LLH7 | N-canal 30 V, 0,0032 Ohm típ. 27 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia, además de Schottky monolítico en un PowerFLAT (TM) 5x6 | ST Microelectronics |
1172296 | STL10DN15F3 | Canal N 150 V, 0,20 Ohm tip., 2.8 A STripFET (TM) III Power MOSFET en un PowerFLAT (TM) 5x6 paquete doble de la isla | ST Microelectronics |
1172297 | STL10N3LLH5 | Canal N 30 V, 0.015 Ohm, 9 A, PowerFLAT (TM) 3.3x3.3 STripFET (TM) V MOSFET | ST Microelectronics |
1172298 | STL10N60M2 | Canal N 600 V, 0,58 Ohm tip., 5.5 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en un (TM) paquete HV 5x6 PowerFLAT | ST Microelectronics |
1172299 | STL110N10F7 | Canal N 100 V, 0,0063 Ohm tip., 100 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en un paquete 5x6 PowerFLAT | ST Microelectronics |
1172300 | STL110NS3LLH7 | N-canal 30 V, 0,0027 Ohm típ. 28 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia, además de Schottky monolítico en un PowerFLAT (TM) 5x6 | ST Microelectronics |
1172301 | STL11N3LLH6 | Canal N 30 V, 0.006 Ohm tip., 11 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de la energía en un PowerFLAT (TM) 3.3 x 3.3 paquete | ST Microelectronics |
1172302 | STL11N4LLF5 | N-canal 40 V, 9.1 mOhm tip., 15 A STripFET (TM) V en un (TM) paquete 3.3x3.3 PowerFLAT | ST Microelectronics |
1172303 | STL120N2VH5 | N-canal 20 V, 0.002 Ohm, 28 A STripFET (TM) V Power MOSFET en PowerFLAT (TM) paquete 5x6 | ST Microelectronics |
1172304 | STL128D | Alta tensión de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
1172305 | STL128DN | Alto voltaje de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
1172306 | STL128DNFP | Alto voltaje de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
1172307 | STL12N65M5 | N-canal de 650 V, 0.475 Ohm tip., 8.5 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en un PowerFLAT (TM) paquete HV 5x6 | ST Microelectronics |
1172308 | STL12P6F6 | P-canal 60 V, 0.13 Ohm tip., 3 A STripFET F6 Power MOSFET en un paquete 5x6 PowerFLAT | ST Microelectronics |
1172309 | STL130N8F7 | Canal N 80 V, 3 mOhm tip., 130 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete 5x6 PowerFLAT | ST Microelectronics |
1172310 | STL13DP10F6 | 100 V doble canal P-, 0.136 Ohm tip., 3.3 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de la energía en un PowerFLAT (TM) 5x6 doble de la isla | ST Microelectronics |
1172311 | STL13N60M2 | Canal N 600 V, 0,39 Ohm tip., 7 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en un paquete HV 5x6 PowerFLAT | ST Microelectronics |
1172312 | STL13NM60N | Canal N 600 V, 0.320 Ohm tip., 10 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en PowerFLAT (TM) paquete HV 8x8 | ST Microelectronics |
1172313 | STL140N4LLF5 | Canal N 40 V, 0.00275 Ohm, 32 A, PowerFLAT (TM) STripFET 5x6 (TM) V MOSFET | ST Microelectronics |
1172314 | STL150N3LLH5 | Canal N 30 V, 0,0014 Ohm tip., 35 A STripFET (TM) V Power MOSFET en PowerFLAT (TM) paquete 5x6 | ST Microelectronics |
1172315 | STL150N3LLH6 | Canal N 30 V, 0,0016 Ohm tip., 33 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en PowerFLAT (TM) paquete 5x6 | ST Microelectronics |
1172316 | STL15DN4F5 | Automotive grado doble de canal N 40 V, 8 mOhm tip., 15 A STripFET F5 Power MOSFET en PowerFLAT 5x6 paquete doble de la isla | ST Microelectronics |
1172317 | STL15N65M5 | N-canal de 650 V, 0.335 Ohm tip., 10 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en un PowerFLAT (TM) paquete HV 5x6 | ST Microelectronics |
1172318 | STL160N3LLH6 | Canal N 30 V, 0,0011 Ohm tip., 45 A STripFET (TM) H6 Power MOSFET en un PowerFLAT (TM) paquete 5x6 | ST Microelectronics |
1172319 | STL160NS3LLH7 | Canal N 30 V, 0,0016 Ohm tip., 160 A STripFET H7 MOSFET de potencia, además de Schottky monolítico en un (TM) paquete 5x6 PowerFLAT | ST Microelectronics |
1172320 | STL16N65M5 | Canal N 650 V, 0,27 Ohm tip., 2 A MDmesh (TM) MOSFET de potencia V en PowerFLAT (TM) paquete HV 8x8 | ST Microelectronics |
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