| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1193601 | TC51832 | La puerta de silicio Cmos/32768 redacta ESPOLÓN estático del pedacito Cmos de x 8 el pseudo | TOSHIBA |
| 1193602 | TC51832F-10 | 100 ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193603 | TC51832F-12 | 120ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193604 | TC51832F-85 | 85ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193605 | TC51832FL-10 | 100 ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193606 | TC51832FL-12 | 120ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193607 | TC51832FL-85 | 85ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193608 | TC51832P-10 | 100 ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193609 | TC51832P-12 | 120ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193610 | TC51832P-85 | 85ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193611 | TC51832PL-10 | 100 ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193612 | TC51832PL-12 | 120ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193613 | TC51832PL-85 | 85ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193614 | TC51832SP-10 | 100 ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193615 | TC51832SP-12 | 120ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193616 | TC51832SP-85 | 85ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193617 | TC51832SPL-10 | 100 ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193618 | TC51832SPL-12 | 120ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193619 | TC51832SPL-85 | 85ns; V (entrada / salida / dd): -1 a + 7V; 600MW; 50mA; 32.768 palabras CMOS x 8 bits de RAM pseudo-estática | TOSHIBA |
| 1193620 | TC51N1802ECBTR | Detector de voltaje de salida con retardo 1uA | Microchip |
| 1193621 | TC51WHM516AXBN | SRAM - Pseudo SRAM | TOSHIBA |
| 1193622 | TC51WHM516AXBN65 | 2.097.152-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193623 | TC51WHM516AXBN70 | 2.097.152-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193624 | TC51WHM516AXGN65 | 2.097.152-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193625 | TC51WHM516AXGN70 | 2.097.152-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193626 | TC51WHM616AXBN | SRAM - Pseudo SRAM | TOSHIBA |
| 1193627 | TC51WHM616AXBN65 | 4.194.304-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193628 | TC51WHM616AXBN70 | 4.194.304-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193629 | TC51WKM516AXBN | SRAM - Pseudo SRAM | TOSHIBA |
| 1193630 | TC51WKM516AXBN75 | 2.097.152-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193631 | TC51WKM516AXGN65 | 2.097.152-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193632 | TC51WKM516AXGN70 | 2.097.152-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193633 | TC51WKM616AXBN | SRAM - Pseudo SRAM | TOSHIBA |
| 1193634 | TC51WKM616AXBN75 | 4.194.304-PALABRAS POR EL PSEUDO ESPOLÓN ESTÁTICO DE 16-bit CMOS | TOSHIBA |
| 1193635 | TC52 | The TC52 consists of two independent low power volt-age detectors in a space-saving 5-pin SOT-23A package. Typical supply current consumption is only 2 µA at an input voltage of 2V. The voltage detection threshold s | Microchip |
| 1193636 | TC520A | The TC520A Serial Interface Adapter provides logic control for Microchip's TC500/500A/510/514 family of dual slope,integratingA/Dconverters. ItdirectlymanagesTC500 converter phase control signals A, B, and CMPTR thereby | Microchip |
| 1193637 | TC520A | ADAPTADOR DE LA INTERFAZ EN SERIE PARA LA FAMILIA DE ANALÓGICO A DIGITAL DEL CONVERTIDOR TC500 | TelCom Semiconductor |
| 1193638 | TC520ACOE | Adaptador de interfaz serial para TC500 Una familia convertidor A / D | Microchip |
| 1193639 | TC520ACOE | Adaptador de interfaz serial para TC500 Una familia convertidor A / D. | TelCom Semiconductor |
| 1193640 | TC520ACPD | Adaptador de interfaz serial para TC500 Una familia convertidor A / D | Microchip |
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