| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252841 | BC860B-4F | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252842 | BC860B-4F | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252843 | BC860BF E6327 | Solos transistores del AF para los usos de fines generales | Infineon |
| 252844 | BC860BMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252845 | BC860BW | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252846 | BC860BW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252847 | BC860BW | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252848 | BC860BW | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252849 | BC860BW | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252850 | BC860C | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252851 | BC860C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252852 | BC860C | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 252853 | BC860C | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252854 | BC860C | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252855 | BC860C | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC850C Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252856 | BC860C | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252857 | BC860C-4GZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252858 | BC860C-4GZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252859 | BC860CW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252860 | BC860CW | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252861 | BC860CW | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252862 | BC860CW | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252863 | BC860CW | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252864 | BC860T | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252865 | BC860T | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252866 | BC860W | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252867 | BC860W | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252868 | BC860W | AF del silicio de NPN transistores | Infineon |
| 252869 | BC868 | Transistor de energía medio de NPN | Philips |
| 252870 | BC868 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252871 | BC868 | 20 V, 2 A Transistor NPN de pequeña | NXP Semiconductors |
| 252872 | BC868-16 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252873 | BC868-25 | Transistor de energía medio de NPN | Philips |
| 252874 | BC868-25 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252875 | BC868-25 | 20 V, 2 A Transistor NPN de pequeña | NXP Semiconductors |
| 252876 | BC86816 | Obsoleto | Zetex Semiconductors |
| 252877 | BC86825 | Obsoleto | Zetex Semiconductors |
| 252878 | BC869 | Transistor de energía medio de PNP | Philips |
| 252879 | BC869 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252880 | BC869 | 20 V, 2 A Transistor PNP | NXP Semiconductors |
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