Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
259561 | BFE520 | Transistor diferenciado wideband de NPN | Philips |
259562 | BFG10 | Transistor de energía del gigahertz RF de NPN 2 | Philips |
259563 | BFG10 | NPN 2 GHz RF transistor de potencia | NXP Semiconductors |
259564 | BFG10/X | Transistor de energía del gigahertz RF de NPN 2 | Philips |
259565 | BFG10/X | Transistor de energía del gigahertz RF de NPN 2 | Philips |
259566 | BFG10W | Transistor de energía DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | Philips |
259567 | BFG10W | NPN transistor de banda ancha | NXP Semiconductors |
259568 | BFG10W/X | Transistor de energía DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | Philips |
259569 | BFG10X | Transistor de energía DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | Philips |
259570 | BFG11 | Transistor de energía del gigahertz RF de NPN 2 | Philips |
259571 | BFG11/X | Transistor de energía del gigahertz RF de NPN 2 | Philips |
259572 | BFG11/X | Transistor de energía del gigahertz RF de NPN 2 | Philips |
259573 | BFG11W | NPN transistor de energía de 2 gigahertz | Philips |
259574 | BFG11W/X | NPN transistor de energía de 2 gigahertz | Philips |
259575 | BFG11W/X | NPN transistor de energía de 2 gigahertz | Philips |
259576 | BFG135 | Transistor del wideband de NPN 7GHz | Philips |
259577 | BFG135 | NPN 7 GHz de banda ancha de transistor | NXP Semiconductors |
259578 | BFG135A | RF-Bipolar - para el amplificador de banda ancha de la bajo-distorsio'n efectúa hasta 2GHz, amplificadores de energía en sistemas de DECT y de PCN | Infineon |
259579 | BFG135A | Transistor del RF del silicio de NPN (para las etapas de banda ancha del amplificador de la salida de la bajo-distorsio'n en antena y telecomunicaciones) | Siemens |
259580 | BFG16 | NPN transistor del wideband de 2 gigahertz | Philips |
259581 | BFG16A | NPN transistor del wideband de 2 gigahertz | Philips |
259582 | BFG17 | NPN transistor del wideband de 3 gigahertz | Philips |
259583 | BFG17A | NPN transistor del wideband de 3 gigahertz | Philips |
259584 | BFG19 | Transistor del Rf Del Silicio de NPN | Infineon |
259585 | BFG19 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha bajos del ruido/bajo de la distorsión en antena) | Siemens |
259586 | BFG193 | RF-Bipolar - para el ruido bajo, los amplificadores high-gain hasta 2 gigahertz y los amplificadores de banda ancha lineares | Infineon |
259587 | BFG193 | Transistor del RF del silicio de NPN para el noi bajo... | Infineon |
259588 | BFG193 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores high-gain hasta 2GHz para los amplificadores de banda ancha lineares) | Siemens |
259589 | BFG194 | Transistor del RF del silicio de PNP para los dis bajos... | Infineon |
259590 | BFG194 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena y telecomunicaciones) | Siemens |
259591 | BFG196 | RF-Bipolar - para el ruido bajo, amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en sistemas sin hilos hasta 1,5 gigahertz | Infineon |
259592 | BFG196 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena y las telecomunicaciones) | Siemens |
259593 | BFG197 | NPN transistor del wideband de 7 gigahertz | Philips |
259594 | BFG197/X | NPN transistor del wideband de 7 gigahertz | Philips |
259595 | BFG197/XR | NPN transistor del wideband de 7 gigahertz | Philips |
259596 | BFG198 | NPN transistor del wideband de 8 gigahertz | Philips |
259597 | BFG198 | NPN 8 GHz de banda ancha de transistor | NXP Semiconductors |
259598 | BFG19S | RF-Bipolar - para el ruido bajo, amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en sistemas sin hilos hasta 1,5 gigahertz | Infineon |
259599 | BFG19S | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena) | Siemens |
259600 | BFG21W | Transistor de energía DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | Philips |
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