Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
26321 | 1N5539A | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 19,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -10% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26322 | 1N5539B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26323 | 1N5539B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26324 | 1N5539B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26325 | 1N5539B | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 19,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -5% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26326 | 1N5539B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26327 | 1N5539B-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
26328 | 1N5539BUR-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
26329 | 1N5539C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26330 | 1N5539C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26331 | 1N5539D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26332 | 1N5539D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26333 | 1N5540 | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26334 | 1N5540 | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26335 | 1N5540 | RENDIMIENTO DE LOS DIODOS ZENER DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN ALTO: RUIDO BAJO, SALIDA BAJA | Knox Semiconductor Inc |
26336 | 1N5540A | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26337 | 1N5540A | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 20,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -10% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26338 | 1N5540B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26339 | 1N5540B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26340 | 1N5540B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26341 | 1N5540B | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 20,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -5% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26342 | 1N5540B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26343 | 1N5540B-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
26344 | 1N5540BUR-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
26345 | 1N5540C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26346 | 1N5540C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26347 | 1N5540D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26348 | 1N5540D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26349 | 1N5541 | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26350 | 1N5541 | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26351 | 1N5541 | RENDIMIENTO DE LOS DIODOS ZENER DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN ALTO: RUIDO BAJO, SALIDA BAJA | Knox Semiconductor Inc |
26352 | 1N5541A | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26353 | 1N5541A | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 22,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -10% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26354 | 1N5541B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26355 | 1N5541B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26356 | 1N5541B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26357 | 1N5541B | Fines generales Plomados Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
26358 | 1N5541B | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 22,0 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -5% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26359 | 1N5541B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26360 | 1N5541B-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
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