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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
328001CR7E-20DB-3.96Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328002CR7E-30DB-3.96DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328003CR7E-30DB-3.96Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328004CR7E-36DB-3.96DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328005CR7E-36DB-3.96Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328006CR7E-44DB-3.96DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328007CR7E-44DB-3.96Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328008CR7E-56DB-3.96DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328009CR7E-56DB-3.96Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328010CR7E-72DB-3.96DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328011CR7E-72DB-3.96Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328012CR7E-80DB-3.96DSconectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328013CR7E-80DB-3.96Econectador de borde de la tarjeta de la echada de 3.96m m y de 4m mHirose Electric
328014CR80-010Fines generales Plomados Del RectificadorCentral Semiconductor
328015CR80-020Fines generales Plomados Del RectificadorCentral Semiconductor
328016CR80-040Fines generales Plomados Del RectificadorCentral Semiconductor
328017CR80-060Fines generales Plomados Del RectificadorCentral Semiconductor
328018CR80-080Fines generales Plomados Del RectificadorCentral Semiconductor
328019CR80-100Fines generales Plomados Del RectificadorCentral Semiconductor



328020CR80-120Fines generales Plomados Del RectificadorCentral Semiconductor
328021CR8AMEl USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TIRISTOR) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓNMitsubishi Electric Corporation
328022CR8AMConducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 8 Del ControlPowerex Power Semiconductors
328023CR8AM-12Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
328024CR8AM-8Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
328025CR8AM400-12Conducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 8 Del ControlPowerex Power Semiconductors
328026CR8AM400-8Conducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 8 Del ControlPowerex Power Semiconductors
328027CR8AM600-12Conducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 8 Del ControlPowerex Power Semiconductors
328028CR8AM600-8Conducir-monte, Ponga en fase Voltios Amperes/400-600 del SCR 8 Del ControlPowerex Power Semiconductors
328029CR8PMTIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓNMitsubishi Electric Corporation
328030CR8PMTIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA, TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓNPowerex Power Semiconductors
328031CR8PM-12Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
328032CR8PM-8Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
328033CR8U-02FP8Central Semiconductor
328034CR8U-04FP8Central Semiconductor
328035CR8U-08FP8Central Semiconductor
328036CR95HFNFC Reader ICST Microelectronics
328037CR95HF-VMD5TNFC Reader ICST Microelectronics
328038CRA04Spaquete de 4 o 8 terminales, terminación del wraparound, protección interna del electrodo, flujo Solderable, capacidad automática de la colocaciónVishay
328039CRA04S0403473GArsenal De la Película Gruesa/Del ResistorVishay
328040CRA04S0403473GRT7Arsenal De la Película Gruesa/Del ResistorVishay
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