| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 35321 | 1SS123 | DIODO DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO | NEC |
| 35322 | 1SS123-L | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35323 | 1SS123-T1B | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35324 | 1SS123-T2B | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35325 | 1SS133 | > de los diodos; > De los Diodos De la Conmutación; Tipo plomado | ROHM |
| 35326 | 1SS133 | DIODOS DE LA CONMUTACIÓN | Leshan Radio Company |
| 35327 | 1SS139 | DIODO de 1SS139 1SS140 1SS141 | ROHM |
| 35328 | 1SS139 | DIODO de 1SS139 1SS140 1SS141 | ROHM |
| 35329 | 1SS140 | DIODO de 1SS139 1SS140 1SS141 | ROHM |
| 35330 | 1SS140 | DIODO de 1SS139 1SS140 1SS141 | ROHM |
| 35331 | 1SS141 | DIODO de 1SS139 1SS140 1SS141 | ROHM |
| 35332 | 1SS141 | DIODO de 1SS139 1SS140 1SS141 | ROHM |
| 35333 | 1SS154 | Usos Epitaxial De la Venda Mixer/Detector Del Tipo UHF~S De la Barrera De Schottky Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35334 | 1SS176 | DIODOS DE LA CONMUTACIÓN | Leshan Radio Company |
| 35335 | 1SS181 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35336 | 1SS184 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35337 | 1SS187 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35338 | 1SS190 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35339 | 1SS193 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35340 | 1SS196 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35341 | 1SS198 | Diodos de barrera de Schottky para la detección y el mezclador | Hitachi Semiconductor |
| 35342 | 1SS198 | Diodes>Switching | Renesas |
| 35343 | 1SS199 | Diodo de barrera de Schottky del silicio para el vario detector/la conmutación de alta velocidad | Hitachi Semiconductor |
| 35344 | 1SS199MHD | Diodo de barrera de Schottky del silicio para el vario detector/la conmutación de alta velocidad | Hitachi Semiconductor |
| 35345 | 1SS200 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35346 | 1SS201 | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 35347 | 1SS220 | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35348 | 1SS220-L | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35349 | 1SS220-T1B | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35350 | 1SS220-T2B | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35351 | 1SS221 | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35352 | 1SS221-L | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35353 | 1SS221-T1B | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35354 | 1SS221-T2B | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35355 | 1SS222 | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35356 | 1SS222-L | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35357 | 1SS222-T1B | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35358 | 1SS222-T2B | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35359 | 1SS223 | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
| 35360 | 1SS223-L | Diodo de la conmutación del silicio | NEC |
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