| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 46241 | 2N4233A | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 46242 | 2N4233A | TRANSISTORES DE ENERGÍA: AMPLIFICADOR DE FINES GENERALES Y USO De baja frecuencia de la CONMUTACIÓN | MOSPEC Semiconductor |
| 46243 | 2N4234 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 46244 | 2N4234 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 46245 | 2N4234 | TRANSISTOR DE FINES GENERALES (SILICIO DE PNP) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46246 | 2N4234 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46247 | 2N4234 | Propósito General de 6.000W PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46248 | 2N4234 | 6 vatios de potencia PNP. | Fairchild Semiconductor |
| 46249 | 2N4235 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 46250 | 2N4235 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 46251 | 2N4235 | TRANSISTOR DE FINES GENERALES (SILICIO DE PNP) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46252 | 2N4235 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46253 | 2N4235 | Propósito General de 6.000W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46254 | 2N4235 | 6 vatios de potencia PNP. | Fairchild Semiconductor |
| 46255 | 2N4236 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 46256 | 2N4236 | TRANSISTOR DE FINES GENERALES (SILICIO DE PNP) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46257 | 2N4236 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46258 | 2N4236 | Propósito General de 6.000W PNP metal puede transistor. 80V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46259 | 2N4236 | 6 vatios de potencia PNP. | Fairchild Semiconductor |
| 46260 | 2N4237 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46261 | 2N4237 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 46262 | 2N4237 | TRANSISTOR DE FINES GENERALES (SILICIO DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46263 | 2N4237 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46264 | 2N4237 | Propósito General de 1.000W NPN metal puede transistor. 40V VCEO, 1.000A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46265 | 2N4237 | 5 vatios de potencia NPN. | Fairchild Semiconductor |
| 46266 | 2N4238 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46267 | 2N4238 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 46268 | 2N4238 | TRANSISTOR DE FINES GENERALES (SILICIO DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46269 | 2N4238 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46270 | 2N4238 | Propósito General de 6.000W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46271 | 2N4238 | 5 vatios de potencia NPN. | Fairchild Semiconductor |
| 46272 | 2N4239 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46273 | 2N4239 | TRANSISTOR DE FINES GENERALES (SILICIO DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46274 | 2N4239 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46275 | 2N4239 | Propósito General de 1.000W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 1.000A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46276 | 2N4239 | 5 vatios de potencia NPN. | Fairchild Semiconductor |
| 46277 | 2N4240 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46278 | 2N4240 | ENERGÍA TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 46279 | 2N4240 | TRANSISTORES de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Medio-energi'a COMPLEMENTARIA | Boca Semiconductor Corporation |
| 46280 | 2N4240 | ALTO VOLTAJE MEDIO DE LA ENERGÍA DEL TRANSISTOR DE NPN | SemeLAB |
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