| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 46681 | 2N4871 | TRANSISTORES DEL SILICIO UNIJUNCTION DE LOS TRANSISTORES DEL PN UNIJUNCTION | Boca Semiconductor Corporation |
| 46682 | 2N4871 | Tiristor Plomado UJT | Central Semiconductor |
| 46683 | 2N4871 | Transistor monounión silicio. 30V, 50mA. | General Electric Solid State |
| 46684 | 2N4875 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46685 | 2N4876 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46686 | 2N4877 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46687 | 2N4890 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46688 | 2N4895 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 46689 | 2N4895 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46690 | 2N4896 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46691 | 2N4896 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO39 | SemeLAB |
| 46692 | 2N4896 | Potencia NPN. | Fairchild Semiconductor |
| 46693 | 2N4897 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46694 | 2N4897 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO39 | SemeLAB |
| 46695 | 2N4898 | ENERGÍA TRANSISTORS(1A, 25W) | MOSPEC Semiconductor |
| 46696 | 2N4898 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 46697 | 2N4898 | Silicio PNP transistor de potencia media. 40V, 25W. | General Electric Solid State |
| 46698 | 2N4898 | Mediano aumento transistor de potencia de silicio PNP. 4 A, 40 V, 25 W. | Motorola |
| 46699 | 2N4898X | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO BAJO EPITAXIAL DE PNP | SemeLAB |
| 46700 | 2N4899 | ENERGÍA TRANSISTORS(1A, 25W) | MOSPEC Semiconductor |
| 46701 | 2N4899 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 46702 | 2N4899 | Silicio PNP transistor de potencia media. 60V, 25W. | General Electric Solid State |
| 46703 | 2N4899 | Mediano aumento transistor de potencia de silicio PNP. 4 A, 60 V, 25 W. | Motorola |
| 46704 | 2N4899X | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO BAJO EPITAXIAL DE PNP | SemeLAB |
| 46705 | 2N4900 | ENERGÍA TRANSISTORS(1A, 25W) | MOSPEC Semiconductor |
| 46706 | 2N4900 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 46707 | 2N4900 | Silicio PNP transistor de potencia media. 80V, 25W. | General Electric Solid State |
| 46708 | 2N4900 | Mediano aumento transistor de potencia de silicio PNP. 4 A, 80 V, 25 W. | Motorola |
| 46709 | 2N4900X | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO BAJO EPITAXIAL DE PNP | SemeLAB |
| 46710 | 2N4901 | ENERGÍA TRANSISTORS(5.0A, 87.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 46711 | 2N4901 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 46712 | 2N4901 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 46713 | 2N4901 | PNP transistor de silicio, la base epitaxial | Comset Semiconductors |
| 46714 | 2N4902 | ENERGÍA TRANSISTORS(5.0A, 87.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 46715 | 2N4902 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 46716 | 2N4902 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 46717 | 2N4902 | PNP transistor de silicio, la base epitaxial | Comset Semiconductors |
| 46718 | 2N4903 | ENERGÍA TRANSISTORS(5.0A, 87.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 46719 | 2N4903 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 46720 | 2N4903 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
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