| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 48801 | 2N6430 | Propósito General de 0.500W NPN metal puede transistor. 200V VCEO, 0.050A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48802 | 2N6431 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48803 | 2N6432 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48804 | 2N6433 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48805 | 2N6436 | ENERGÍA TRANSISTORS(2Ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48806 | 2N6436 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO de PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48807 | 2N6437 | ENERGÍA TRANSISTORS(2Ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48808 | 2N6437 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO de PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48809 | 2N6437 | SILICIO DE LOS TRANSISTORES DE ENERGÍA PNP | ON Semiconductor |
| 48810 | 2N6437-D | Transistores De alta potencia Del Silicio de PNP | ON Semiconductor |
| 48811 | 2N6438 | ENERGÍA TRANSISTORS(2Ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48812 | 2N6438 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO de PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48813 | 2N6438 | SILICIO DE LOS TRANSISTORES DE ENERGÍA PNP | ON Semiconductor |
| 48814 | 2N6439 | TRANSISTOR DE ENERGÍA | Tyco Electronics |
| 48815 | 2N6439 | 60 W, 225 a 400 megaciclos CONTROLARON EL SILICIO DE BANDA ANCHA del TRANSISTOR de ENERGÍA del RF del °Q± NPN | Motorola |
| 48816 | 2N6439 | 60 W, transistor de potencia NPN de silicio RF | MA-Com |
| 48817 | 2N6449 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48818 | 2N6449 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48819 | 2N6450 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48820 | 2N6450 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48821 | 2N6451 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48822 | 2N6452 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48823 | 2N6453 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48824 | 2N6453 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48825 | 2N6454 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48826 | 2N6454 | Transistor Del Efecto de campo De la Ensambladura Del Silicio Del N-Canal | InterFET Corporation |
| 48827 | 2N6461 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO39 | SemeLAB |
| 48828 | 2N6462 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48829 | 2N6462 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48830 | 2N6463 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO39 | SemeLAB |
| 48831 | 2N6464 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48832 | 2N6465 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48833 | 2N6465 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48834 | 2N6466 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48835 | 2N6467 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48836 | 2N6467 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 48837 | 2N6467 | Silicio PNP transistor de potencia media. -110V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48838 | 2N6468 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 48839 | 2N6468 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48840 | 2N6468 | Silicio PNP transistor de potencia media. -130V, 40W. | General Electric Solid State |
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