| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 568001 | IRF530A | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Fairchild Semiconductor |
| 568002 | IRF530F1 | MOSFET de canal N, 100v, 9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568003 | IRF530FI | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 568004 | IRF530FI | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 568005 | IRF530FI | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | ST Microelectronics |
| 568006 | IRF530FP | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 568007 | IRF530FP | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | ST Microelectronics |
| 568008 | IRF530L | Energía MOSFET(Vdss=100V/Rds(on)=0.11ohm/Id=17A) | International Rectifier |
| 568009 | IRF530N | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
| 568010 | IRF530N | 2À, 100V, 0,064 Ohmios, N-Canal, Mosfet De la Energía | Fairchild Semiconductor |
| 568011 | IRF530N | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568012 | IRF530N | Mosfet De la Energía De 2À/De 100V/0,064 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 568013 | IRF530NL | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 568014 | IRF530NLPBF | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 568015 | IRF530NPBF | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568016 | IRF530NS | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568017 | IRF530NSPBF | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568018 | IRF530NSTRL | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568019 | IRF530NSTRR | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568020 | IRF530PBF | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568021 | IRF530S | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568022 | IRF530STRL | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568023 | IRF530STRR | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568024 | IRF531 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO de la ENERGÍA de la PUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal TMOS | Motorola |
| 568025 | IRF531 | FETs Verticales De la Energía Del Realce-Modo DMOS Del N-Canal | Supertex Inc |
| 568026 | IRF531 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 568027 | IRF531 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 568028 | IRF531 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
| 568029 | IRF531 | MOSFET de canal N, 80V, 14A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568030 | IRF531F1 | Canal N MOSFET, 80V, 9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568031 | IRF531FI | TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCEDel CANAL De N | ST Microelectronics |
| 568032 | IRF531FI | TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCEDel CANAL De N | ST Microelectronics |
| 568033 | IRF532 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO de la ENERGÍA de la PUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal TMOS | Motorola |
| 568034 | IRF532 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 568035 | IRF532 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 568036 | IRF532 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 568037 | IRF532 | MOSFET de canal N, 100V, 12A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568038 | IRF532F1 | MOSFET de canal N, 100V, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568039 | IRF532FI | TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCEDel CANAL De N | ST Microelectronics |
| 568040 | IRF532FI | TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCEDel CANAL De N | ST Microelectronics |
| | | |
