| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 57281 | 2SD1453 | SALIDA HORIZONTAL DIFUNDIDA TRIPLE DE LA DESVIACIÓN DELSILICIO NPN TV | Unknow |
| 57282 | 2SD1457 | Amplificación planar de la energía de Darlington(For del tipo de la difusión triple del silicio NPN) | Panasonic |
| 57283 | 2SD1457A | Amplificación planar de la energía de Darlington(For del tipo de la difusión triple del silicio NPN) | Panasonic |
| 57284 | 2SD1458 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 57285 | 2SD1459 | Salida Vertical Planar Del Color TV De los Transistores Del Silicio de NPN, Usos Sanos De la Salida | SANYO |
| 57286 | 2SD1468S | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 57287 | 2SD1470 | Transistor Del Silicio NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57288 | 2SD1470 | Silicio NPN Epitaxial, Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57289 | 2SD1470 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 57290 | 2SD1471 | Transistor Del Silicio NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57291 | 2SD1471 | Silicio NPN Planar, Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57292 | 2SD1471 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 57293 | 2SD1472 | Transistor Del Silicio NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57294 | 2SD1472 | Silicio NPN Epitaxial, Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57295 | 2SD1472 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 57296 | 2SD1474 | Dispositivo de energía - transistores de energía - amplificación de uso general de la energía | Panasonic |
| 57297 | 2SD1478 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 57298 | 2SD1478A | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 57299 | 2SD1480 | Amplificación planar de la energía del type(For de la difusión triple del silicio NPN) | Panasonic |
| 57300 | 2SD1481 | Transistor del silicio | NEC |
| 57301 | 2SD1483 | Transistor - Tipo de silicio NPN planar epitaxial | Panasonic |
| 57302 | 2SD1484 | Transistor De Energía Medio (50V/0.Ä) | ROHM |
| 57303 | 2SD1484K | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 57304 | 2SD1485 | Dispositivo de energía - transistores de energía - amplificación de uso general de la energía | Panasonic |
| 57305 | 2SD1486 | Par complementario con 2SB1055 | Panasonic |
| 57306 | 2SD1486 | Par complementario con 2SB1055 | Panasonic |
| 57307 | 2SD1487 | AMPLIFICADOR DE ALTA ENERGÍA PLANAR DIFUNDIDO TRIPLE DEL SI NPN | Panasonic |
| 57308 | 2SD1487 | AMPLIFICADOR DE ALTA ENERGÍA PLANAR DIFUNDIDO TRIPLE DEL SI NPN | Panasonic |
| 57309 | 2SD1488 | AMPLIFICADOR DE ALTA ENERGÍA PLANAR DIFUNDIDO TRIPLE DEL SI NPN | Panasonic |
| 57310 | 2SD1488 | AMPLIFICADOR DE ALTA ENERGÍA PLANAR DIFUNDIDO TRIPLE DEL SI NPN | Panasonic |
| 57311 | 2SD1489 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57312 | 2SD1489 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 57313 | 2SD1489 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 57314 | 2SD1490 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57315 | 2SD1490 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 57316 | 2SD1490 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 57317 | 2SD1496 | SALIDA HORIZONTAL DE ALTO VOLTAJE DIFUNDIDA TRIPLE DE LADESVIACIÓN DE LA CONMUTACIÓN TV DE LA ENERGÍA DEL SILICIO NPN | Unknow |
| 57318 | 2SD1496 | SALIDA HORIZONTAL DE ALTO VOLTAJE DIFUNDIDA TRIPLE DE LADESVIACIÓN DE LA CONMUTACIÓN TV DE LA ENERGÍA DEL SILICIO NPN | Unknow |
| 57319 | 2SD1497 | SALIDA HORIZONTAL DIFUNDIDA TRIPLE DE LA DESVIACIÓN DELSILICIO NPN TV | Unknow |
| 57320 | 2SD1497 | SALIDA HORIZONTAL DIFUNDIDA TRIPLE DE LA DESVIACIÓN DELSILICIO NPN TV | Unknow |
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