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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
610441KM416C254DJL-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610442KM416C254DJL-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610443KM416C254DT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610444KM416C254DT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610445KM416C254DT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610446KM416C254DTL-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610447KM416C254DTL-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610448KM416C254DTL-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610449KM416C256DESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610450KM416C256DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5VSamsung Electronic
610451KM416C256DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5VSamsung Electronic
610452KM416C256DJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5VSamsung Electronic
610453KM416C256DLJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
610454KM416C256DLJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
610455KM416C256DLJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
610456KM416C256DLT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
610457KM416C256DLT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
610458KM416C256DLT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic



610459KM416C256DT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5VSamsung Electronic
610460KM416C256DT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5VSamsung Electronic
610461KM416C256DT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5VSamsung Electronic
610462KM416C4000BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610463KM416C4000BS-454M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 45nsSamsung Electronic
610464KM416C4000BS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 50nsSamsung Electronic
610465KM416C4000BS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 60nsSamsung Electronic
610466KM416C4000CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610467KM416C4000CS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 50nsSamsung Electronic
610468KM416C4000CS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 60nsSamsung Electronic
610469KM416C4004CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610470KM416C4004CS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 8K de refresco, 50nsSamsung Electronic
610471KM416C4004CS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 8K de refresco, 60nsSamsung Electronic
610472KM416C4100BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610473KM416C4100BS-454M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 45nsSamsung Electronic
610474KM416C4100BS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 50nsSamsung Electronic
610475KM416C4100BS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 60nsSamsung Electronic
610476KM416C4100CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610477KM416C4100CS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 50nsSamsung Electronic
610478KM416C4100CS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 60nsSamsung Electronic
610479KM416C4104CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610480KM416C4104CS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 4K de refresco, 50nsSamsung Electronic
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