Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
610441 | KM416C254DJL-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610442 | KM416C254DJL-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610443 | KM416C254DT-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610444 | KM416C254DT-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610445 | KM416C254DT-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610446 | KM416C254DTL-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610447 | KM416C254DTL-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610448 | KM416C254DTL-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610449 | KM416C256D | ESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
610450 | KM416C256DJ-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V | Samsung Electronic |
610451 | KM416C256DJ-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V | Samsung Electronic |
610452 | KM416C256DJ-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V | Samsung Electronic |
610453 | KM416C256DLJ-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
610454 | KM416C256DLJ-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
610455 | KM416C256DLJ-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
610456 | KM416C256DLT-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
610457 | KM416C256DLT-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
610458 | KM416C256DLT-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
610459 | KM416C256DT-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V | Samsung Electronic |
610460 | KM416C256DT-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V | Samsung Electronic |
610461 | KM416C256DT-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V | Samsung Electronic |
610462 | KM416C4000B | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
610463 | KM416C4000BS-45 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 45ns | Samsung Electronic |
610464 | KM416C4000BS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
610465 | KM416C4000BS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
610466 | KM416C4000C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
610467 | KM416C4000CS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
610468 | KM416C4000CS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
610469 | KM416C4004C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
610470 | KM416C4004CS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 8K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
610471 | KM416C4004CS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 8K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
610472 | KM416C4100B | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
610473 | KM416C4100BS-45 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 45ns | Samsung Electronic |
610474 | KM416C4100BS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
610475 | KM416C4100BS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
610476 | KM416C4100C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
610477 | KM416C4100CS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
610478 | KM416C4100CS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
610479 | KM416C4104C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
610480 | KM416C4104CS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 4K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
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