| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 889081 | MMA6260Q | Sensor De la Aceleración | Freescale (Motorola) |
| 889082 | MMA6260QR2 | ¾1.5g Se doblan Acelerómetro De Micromachined Del Eje | Motorola |
| 889083 | MMA6261Q | ¾1.5g Se doblan Acelerómetro De Micromachined Del Eje | Motorola |
| 889084 | MMA6261Q | Sensor De la Aceleración | Freescale (Motorola) |
| 889085 | MMA6261QR2 | ¾1.5g Se doblan Acelerómetro De Micromachined Del Eje | Motorola |
| 889086 | MMA6262Q | ¾1.5g Se doblan Acelerómetro De Micromachined Del Eje | Motorola |
| 889087 | MMA6262Q | Sensor De la Aceleración | Freescale (Motorola) |
| 889088 | MMA6262QR2 | ¾1.5g Se doblan Acelerómetro De Micromachined Del Eje | Motorola |
| 889089 | MMA6263Q | ¾1.5g Se doblan Acelerómetro De Micromachined Del Eje | Motorola |
| 889090 | MMA6263Q | Sensor De la Aceleración | Freescale (Motorola) |
| 889091 | MMA6263QR2 | ¾1.5g Se doblan Acelerómetro De Micromachined Del Eje | Motorola |
| 889092 | MMA701A | +24 amplificador de InGaP HBT del dBm | Aeroflex Circuit Technology |
| 889093 | MMA707 | Amplificador De InGaP HBT De 1 Vatio | Aeroflex Circuit Technology |
| 889094 | MMA707-3030 | Amplificador De InGaP HBT De 1 Vatio | Aeroflex Circuit Technology |
| 889095 | MMA709 | 2 Amplificador De InGaP HBT Del Vatio | Aeroflex Circuit Technology |
| 889096 | MMA710 | C.C. al amplificador de 4 gigahertz | Aeroflex Circuit Technology |
| 889097 | MMA7260Q | 1.5g - Acelerómetro Bajo-g De Micromachined Del Eje 6gTres | Motorola |
| 889098 | MMA7260QR2 | 1.5g - Acelerómetro Bajo-g De Micromachined Del Eje 6gTres | Motorola |
| 889099 | MMAD103 | Arsenal Del Diodo | Microsemi |
| 889100 | MMAD1103 | Arsenal Del Diodo | Microsemi |
| 889101 | MMAD1104 | Arsenal Del Diodo | Microsemi |
| 889102 | MMAD1105 | Arsenal Del Diodo | Microsemi |
| 889103 | MMAD1106 | Arsenal Del Diodo | Microsemi |
| 889104 | MMAD1107 | Arsenal Del Diodo | Microsemi |
| 889105 | MMAD1108 | Arsenal Del Diodo | Microsemi |
| 889106 | MMAD1108 | 50.0V; 500MilliWatts; de dirección de red de diodos. Para Ethernet 10/100 base T, RS-232 y RS-422 interfaz de red, líneas de datos de alta frecuencia, la computadora puertos I / O | Protek Devices |
| 889107 | MMAD1109 | Arsenal Del Diodo | Microsemi |
| 889108 | MMAD130 | Arsenal Del Diodo | Microsemi |
| 889109 | MMAS40G10D | ACELERÓMETRO ¾40G DE MICROMACHINED | Motorola |
| 889110 | MMAS40GWB | ACELERÓMETRO ¾40G DE MICROMACHINED AMPLIFICADO | Motorola |
| 889111 | MMB3904LT1 | Silicio De fines generales De Transistor(NPN) | Leshan Radio Company |
| 889112 | MMBA811C5 | PNP (TRANSISTOR DE CONDUCTOR) | Samsung Electronic |
| 889113 | MMBA811C5 | PNP transistor amplificador de silicio. | Motorola |
| 889114 | MMBA811C6 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
| 889115 | MMBA811C6 | PNP transistor amplificador de silicio. | Motorola |
| 889116 | MMBA811C7 | PNP (TRANSISTOR DE CONDUCTOR) | Samsung Electronic |
| 889117 | MMBA811C7 | PNP transistor amplificador de silicio. | Motorola |
| 889118 | MMBA811C8 | PNP (TRANSISTOR DE CONDUCTOR) | Samsung Electronic |
| 889119 | MMBA811C8 | PNP transistor amplificador de silicio. | Motorola |
| 889120 | MMBA812M3 | PNP (TRANSISTOR DE FINES GENERALES) | Samsung Electronic |
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