| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 889761 | MMBT1010LT1 | Voltaje Bajo De la Saturación | Leshan Radio Company |
| 889762 | MMBT1010LT1 | MONTAJE DE FINES GENERALES DE LA SUPERFICIE DE LOS TRANSISTORES DE CONDUCTOR DE PNP | Motorola |
| 889763 | MMBT1010LT1 | Transistores del conductor de baja tensión de saturación del silicio de PNP | ON Semiconductor |
| 889764 | MMBT1010LT1-D | Transistores De Conductor Bajos Del Silicio Del Voltaje PNP De la Saturación | ON Semiconductor |
| 889765 | MMBT1010T1 | MONTAJE DE FINES GENERALES DE LA SUPERFICIE DE LOS TRANSISTORES DE CONDUCTOR DE PNP | ON Semiconductor |
| 889766 | MMBT1015 | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
| 889767 | MMBT123S | Transistores Bipolares | Diodes |
| 889768 | MMBT123S-7 | TRANSISTOR DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL ÇA NPN | Diodes |
| 889769 | MMBT123S-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 889770 | MMBT1815 | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
| 889771 | MMBT200 | Amplificador De los Fines generales de PNP | National Semiconductor |
| 889772 | MMBT200 | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 889773 | MMBT200A | Amplificador De los Fines generales de PNP | National Semiconductor |
| 889774 | MMBT200A | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 889775 | MMBT2131 | Transistor De Ensambladura Bipolar | ON Semiconductor |
| 889776 | MMBT2131T1 | Transistor De Ensambladura Bipolar | ON Semiconductor |
| 889777 | MMBT2131T1-D | Transistor De Ensambladura Bipolar De fines generales De los Transistores PNP (Dispositivo Complementario de NPN: NOTA MMBT2132T1/T3: El voltaje y la corriente son negativos para el transistor de PNP. | ON Semiconductor |
| 889778 | MMBT2131T3 | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 889779 | MMBT2132 | Transistor De Ensambladura Bipolar | ON Semiconductor |
| 889780 | MMBT2132T1 | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 889781 | MMBT2132T1-D | Transistor De Ensambladura Bipolar De fines generales De los Transistores NPN (Dispositivo Complementario de PNP: MMBT2131T1/T3) | ON Semiconductor |
| 889782 | MMBT2132T3 | Transistor De Ensambladura Bipolar | ON Semiconductor |
| 889783 | MMBT2222 | Transistor de la conmutación de NPN | Philips |
| 889784 | MMBT2222 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 889785 | MMBT2222 | NPN transistor de silicio. | Motorola |
| 889786 | MMBT2222 | 60 V, 600 mA, el transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
| 889787 | MMBT2222A | Transistor de la conmutación de NPN | Philips |
| 889788 | MMBT2222A | Amplificador De los Fines generales de NPN | National Semiconductor |
| 889789 | MMBT2222A | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 889790 | MMBT2222A | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | ST Microelectronics |
| 889791 | MMBT2222A | Transistor Pequeño De la Señal (NPN) | Vishay |
| 889792 | MMBT2222A | Transistor de NPN | Microsemi |
| 889793 | MMBT2222A | Transistores Bipolares | Diodes |
| 889794 | MMBT2222A | Transistor Pequeño De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
| 889795 | MMBT2222A | Transistor Pequeño De la Señal (NPN) | Comchip Technology |
| 889796 | MMBT2222A | Amplificador De los Fines generales de NPN | Micro Commercial Components |
| 889797 | MMBT2222A | Transistor De la Conmutación Del Silicio de NPN | Infineon |
| 889798 | MMBT2222A | SILICIO DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 889799 | MMBT2222A | NPN transistor de conmutación | NXP Semiconductors |
| 889800 | MMBT2222A | Vce = 10V transistor | MCC |
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