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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
940681NUP4301MR6T1GArsenal bajo del diodo del casquillo para la protección de ESDON Semiconductor
940682NUP4301MR6T1GArsenal bajo del diodo del casquillo para la protección de ESDON Semiconductor
940683NUP4302MR6Arsenal del diodo de Schottky para la línea de cuatro datosprotección de ESDON Semiconductor
940684NUP4304M6Matriz de la capacitancia del diodo de baja para la Protección de ESD en cuatro líneas de datosON Semiconductor
940685NUP45V6P5Matriz de capacitancia Quad Low para la Protección de ESDON Semiconductor
940686NUP46V8P5Matriz de capacitancia Quad Low para la Protección de ESDON Semiconductor
940687NUP51205-Line TVS Supresor matrizON Semiconductor
940688NUP51505-Line TVS Supresor matrizON Semiconductor
940689NUP6012PMUNUP6012PMU Six-Line TVS Supresor matrizON Semiconductor
940690NUP6101Arsenal unidireccional de las TV para la protección de línea de alta velocidad de datosON Semiconductor
940691NUP6101DMR2Arsenal unidireccional de las TV para la protección de línea de alta velocidad de datosON Semiconductor
940692NUP6101DMR2-DArsenal unidireccional de las TV para la protección de línea de alta velocidad de datosON Semiconductor
940693NUP8010MNSupresor matriz de baja capacidad de tensión transitoriaON Semiconductor
940694NUP8011MUSupresor matriz de baja capacidad de tensión transitoriaON Semiconductor
940695NUP8020X65-Line TVS Supresor matrizON Semiconductor
940696NUP8028MN8 Línea de baja capacidad Tranisient voltaje del supresor de matrizON Semiconductor
940697NUP8100DSupresor matriz de baja capacidad de tensión transitoriaON Semiconductor
940698NUR30QArsenal De Diodos De Barrera De Schottky Del CuadránguloON Semiconductor
940699NUR30QW5T1Arsenal De Diodos De Barrera De Schottky Del CuadránguloON Semiconductor



940700NUR460Diodo de potencia ultrarápidoNXP Semiconductors
940701NUR460PDiodo de potencia ultrarápidoNXP Semiconductors
940702NUS1204MNProtección contra sobretensiones con IC integrado MOSFETON Semiconductor
940703NUS2045MNProtección contra sobretensiones con IC integrado MOSFETON Semiconductor
940704NUS2401SNT1Arsenal Integrado De los Transistores de PNP/NPN DigitalON Semiconductor
940705NUS2401SNT1GArsenal Integrado De los Transistores de PNP/NPN DigitalON Semiconductor
940706NUS2501Transistor integrado de NPN Digital con arsenal del diodo de la conmutaciónON Semiconductor
940707NUS2501W6T1Transistor integrado de NPN Digital con arsenal del diodo de la conmutaciónON Semiconductor
940708NUS3046MNProtección contra sobretensiones con IC integrado MOSFETON Semiconductor
940709NUS3055Low Profile Protección contra sobretensiones con IC integrado MOSFETON Semiconductor
940710NUS3116MTMOSFET interruptor principal de alimentación -12 V, -6.2 A, µCool ™ Single P-Channel con Dual PNP Low V ce (sat) Transistores, 3x3 mm Paquete WDFNON Semiconductor
940711NUS5530MNMOSFET de potencia integrado con PNP Low V CE (sat) de conmutación del transistorON Semiconductor
940712NUS5531MTInterruptor principal de alimentación MOSFET y BJT único CargaON Semiconductor
940713NUS6160MNLow Profile Protección contra sobretensiones con IC integrado MOSFETON Semiconductor
940714NUS6189MNLow Profile Protección contra sobretensiones con IC integrado MOSFETON Semiconductor
940715NV152N061500 V multiplicador híbrido miniatura, corriente de salida 10 nAVoltage Multipliers
940716NV152N06S1500 V multiplicador híbrido miniatura, corriente de salida 10 nAVoltage Multipliers
940717NV152P061500 V multiplicador híbrido miniatura, corriente de salida 10 nAVoltage Multipliers
940718NV152P06S1500 V multiplicador híbrido miniatura, corriente de salida 10 nAVoltage Multipliers
940719NV202N082000 V multiplicador híbrido miniatura, corriente de salida 10 nAVoltage Multipliers
940720NV202N08S2000 V multiplicador híbrido miniatura, corriente de salida 10 nAVoltage Multipliers
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