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CL100B Fabricado cerca: |
Propósito General de 3.000W NPN metal puede transistor. V VCEO, A Ic, 100-300 hFE. CL100B Complementaria Otros con el mismo archivo para el datasheet: CL100, CL100A, |
Transferencia Directa CL100B datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 136 kb |
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