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| NX6508GK59 Fabricado cerca: | 
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 | InGaAsP MQW DFB-diodo láser para aplicaciones de 2.5 Gb / s, CWDM. Longitud de onda 1590 nm (típico). Otros con el mismo archivo para el datasheet: NX6508GK47, NX6508GK61, NX6508GK57, NX6508GK55, NX6508GK53, |
Transferencia Directa NX6508GK59 datasheet de NEC |
pdf 133 kb |
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