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TSD4M150F Fabricado cerca: |
V (ds): 100V; V (DGR): 100V; V (GS): + -20V; 500W; I (d): 135A; N-canal de energía en modo de mejora ISOFET módulo transistor MOS. Para DC-DC y DC-AC convertidores, SMPS y UPS, el control motor, almacenamiento de salida para PWM, circuit Otros con el mismo archivo para el datasheet: TSD4M150V, |
Transferencia Directa TSD4M150F datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 359 kb |
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MÓDULO DEL TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO ISOFET DELREALCE DE N-CHANNEL Otros con el mismo archivo para el datasheet: TSD4M150, |
Transferencia Directa TSD4M150F datasheet de ST Microelectronics |
pdf 358 kb |
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MÓDULO DEL TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO ISOFET DELREALCE DE N-CHANNEL | Transferencia Directa TSD4M150F datasheet de ST Microelectronics |
pdf 358 kb |
TSD4M150 | Vista TSD4M150F a nuestro catálogo | TSD4M150V |