| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 8401 | IDB06E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission à dans TO263 | Infineon |
| 8402 | IDB09E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 9A dans TO263 | Infineon |
| 8403 | IDB09E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 9A dans TO263 | Infineon |
| 8404 | IDB12E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de 1À dans TO263 | Infineon |
| 8405 | IDB15E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de 1Ä dans TO263 | Infineon |
| 8406 | IDB18E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 1Å dans TO263 | Infineon |
| 8407 | IDB23E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 2Á dans TO263 | Infineon |
| 8408 | IDB30E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 30A dans TO263 | Infineon |
| 8409 | IDB30E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 30A dans TO263 | Infineon |
| 8410 | IDB45E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 4Ä dans TO263 | Infineon |
| 8411 | IDD03E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de Á dans TO252 | Infineon |
| 8412 | IDD06E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission à dans TO252 | Infineon |
| 8413 | IDD09E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 9A dans TO252 | Infineon |
| 8414 | IDD15E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de 1Ä dans TO252 | Infineon |
| 8415 | IDD23E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 2Á dans TO252 | Infineon |
| 8416 | IDP04E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de  dans To220-2 | Infineon |
| 8417 | IDP06E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission à dans To220-2 | Infineon |
| 8418 | IDP09E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 9A dans To220-2 | Infineon |
| 8419 | IDP09E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 9A dans To220-2 | Infineon |
| 8420 | IDP12E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de 1À dans To220-2 | Infineon |
| 8421 | IDP15E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de 1Ä dans To220-2 | Infineon |
| 8422 | IDP18E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 1Å dans To220-2 | Infineon |
| 8423 | IDP23E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 2Á dans To220-2 | Infineon |
| 8424 | IDP30E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 30A dans To220-2 | Infineon |
| 8425 | IDP30E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 30A dans To220-2 | Infineon |
| 8426 | IDP45E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 4Ä dans To220-2 | Infineon |
| 8427 | IFX1117 GSV | Régulateurs de tension pour des applications industrielles | Infineon |
| 8428 | IFX1117 GSV33 | Régulateurs de tension pour des applications industrielles | Infineon |
| 8429 | IGA03N120H2 | IGBTs Et DuoPacks - Á 1200V HighSpeed2 IGBT FullPak | Infineon |
| 8430 | IGB01N120H2 | 1200V HighSpeed2 et 600V IGBT highSpeed pour la fréquence de commutation de 30kHz vers le haut. Applications de foyer: Ballast de lampe, alimentations d'énergie... | Infineon |
| 8431 | IGB01N120H2E3045A | IGBTs Et DuoPacks - 1A 1200V HighSpeed2 IGBT D2Pak | Infineon |
| 8432 | IGB03N120H2 | 1200V HighSpeed2 et 600V IGBT highSpeed pour la fréquence de commutation de 30kHz vers le haut. Applications de foyer: Ballast de lampe, alimentations d'énergie... | Infineon |
| 8433 | IGB03N120H2E3045A | IGBTs Et DuoPacks - Á 1200V HighSpeed2 IGBT D2Pak | Infineon |
| 8434 | IGB15N60T | 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour des applications dures de commutation et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce. Fossé combiné et Fieldstop-Technology.... | Infineon |
| 8435 | IGB50N60T | 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour des applications dures de commutation et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce. Fossé combiné et Fieldstop-Technology.... | Infineon |
| 8436 | IGD01N120H2 | IGBTs Et DuoPacks - 1A 1200V HighSpeed2 IGBT DPak | Infineon |
| 8437 | IGP01N120H2 | IGBTs Et DuoPacks - 1A 1200V HighSpeed2 IGBT TO220 | Infineon |
| 8438 | IGP03N120H2 | IGBTs Et DuoPacks - Á 1200V HighSpeed2 IGBT TO220 | Infineon |
| 8439 | IGP30N60T | 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour des applications dures de commutation et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce. Fossé combiné et Fieldstop-Technology.... | Infineon |
| 8440 | IGP50N60T | 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour des applications dures de commutation et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce. Fossé combiné et Fieldstop-Technology.... | Infineon |
| 8441 | IGW03N120H2 | IGBTs Et DuoPacks - Á 1200V HighSpeed2 IGBT TO247 | Infineon |
| 8442 | IGW08T120 | IGBTs Et DuoPacks - Å 1200V TO247 IGBT | Infineon |
| 8443 | IGW15T120 | IGBTs Et DuoPacks - 1Ä 1200V TO247 IGBT | Infineon |
| 8444 | IGW25T120 | IGBTs Et DuoPacks - 2Ä 1200V TO247 IGBT | Infineon |
| 8445 | IGW30N60T | 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour des applications dures de commutation et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce. Fossé combiné et Fieldstop-Technology.... | Infineon |
| 8446 | IGW40T120 | IGBTs Et DuoPacks - 40A 1200V TO247 IGBT | Infineon |
| 8447 | IGW50N60T | 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour des applications dures de commutation et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce. Fossé combiné et Fieldstop-Technology.... | Infineon |
| 8448 | IGW60T120 | IGBTs Et DuoPacks - 60A 1200V TO247 IGBT | Infineon |
| 8449 | IGW75N60T | 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour des applications dures de commutation et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce. Fossé combiné et Fieldstop-Technology.... | Infineon |
| 8450 | IHP10T120 | IGBTs et DuoPacks - 10A/1200V IGBT et diode Â/1200V dans DuoPack | Infineon |
| 8451 | IHW15T120 | IGBTs et DuoPacks - 1Ä/diode IGBT et 9A/1200V de 1200V dans DuoPack | Infineon |
| 8452 | IHW20T120 | IGBTs et DuoPacks - 20A/1200V IGBT et 9A/diode 1200V dans DuoPack | Infineon |
| 8453 | IHW40T120 | IGBTs et DuoPacks - 40A/1200V IGBT et 1Å/diode 1200V dans DuoPack | Infineon |
| 8454 | II340-GR | 3 x 4 cellules, Ind intelligent bicolore... | Infineon |
| 8455 | II340-GY | 3 x 4 cellules, Ind intelligent bicolore... | Infineon |
| 8456 | II640-GR | 6 x 4 cellules, Ind intelligent bicolore... | Infineon |
| 8457 | II640-GY | 6 x 4 cellules, Ind intelligent bicolore... | Infineon |
| 8458 | IKA03N120H2 | IGBTs Et DuoPacks - Á 1200V HighSpeed2 DuoPack IGBT FullPak | Infineon |
| 8459 | IKA10N60T | & 600V; 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour la commutation dure et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce avec la diode d'antiparallel... | Infineon |
| 8460 | IKB01N120H2 | 1200V HighSpeed2 IGBT et 600V IGBT highSpeed avec l'antiparallel jeûnent le rétablissement EmCon™ diode en seulement un paquet. | Infineon |
| 8461 | IKB01N120H2E3045A | IGBTs Et DuoPacks - 1A 1200V HighSpeed2 DuoPack IGBT D2Pak | Infineon |
| 8462 | IKB03N120H2 | 1200V HighSpeed2 IGBT et 600V IGBT highSpeed avec l'antiparallel jeûnent le rétablissement EmCon™ diode en seulement un paquet. | Infineon |
| 8463 | IKB03N120H2E3045A | IGBTs Et DuoPacks - Á 1200V HighSpeed2 DuoPack IGBT D2Pak | Infineon |
| 8464 | IKB15N60T | & 600V; 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour la commutation dure et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce avec la diode d'antiparallel... | Infineon |
| 8465 | IKB20N60T | & 600V; 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour la commutation dure et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce avec la diode d'antiparallel... | Infineon |
| 8466 | IKP01N120H2 | IGBTs Et DuoPacks - 1A 1200V HighSpeed2 DuoPack IGBT TO220 | Infineon |
| 8467 | IKP03N120H2 | IGBTs Et DuoPacks - Á 1200V HighSpeed2 DuoPack IGBT TO220 | Infineon |
| 8468 | IKP04N60T | & 600V; 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour la commutation dure et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce avec la diode d'antiparallel... | Infineon |
| 8469 | IKP20N60T | & 600V; 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour la commutation dure et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce avec la diode d'antiparallel... | Infineon |
| 8470 | IKW03N120H2 | IGBTs Et DuoPacks - Á 1200V HighSpeed2 DuoPack IGBT TO247 | Infineon |
| 8471 | IKW08T120 | IGBTs Et DuoPacks - Å 1200V TO247 IGBT+Diode | Infineon |
| 8472 | IKW15T120 | IGBTs Et DuoPacks - 1Ä 1200V TO247 IGBT+Diode | Infineon |
| 8473 | IKW20N60T | & 600V; 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour la commutation dure et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce avec la diode d'antiparallel... | Infineon |
| 8474 | IKW25T120 | IGBTs Et DuoPacks - 2Ä 1200V TO247 IGBT+Diode | Infineon |
| 8475 | IKW30N60T | & 600V; 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour la commutation dure et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce avec la diode d'antiparallel... | Infineon |
| 8476 | IKW40T120 | IGBTs Et DuoPacks - 40A 1200V TO247 IGBT+Diode | Infineon |
| 8477 | IKW50N60T | & 600V; 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour la commutation dure et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce avec la diode d'antiparallel... | Infineon |
| 8478 | IKW75N60T | & 600V; 1200V IGBT pour des fréquences jusqu'à 10kHz pour la commutation dure et jusqu'à 30kHz pour la commutation douce avec la diode d'antiparallel... | Infineon |
| 8479 | IL300 | Optocoupleur linéaire, l'isolement 5.3KV | Infineon |
| 8480 | IL300-E | Optocoupleur linéaire, l'isolement 5.3KV | Infineon |
| 8481 | IL300-F | Optocoupleur linéaire, l'isolement 5.3KV | Infineon |
| 8482 | IL388DAA | Haute Performance optocoupleur linéaire pour DAA optique dans les télécommunications | Infineon |
| 8483 | ILA03N60 | IGBTs et DuoPacks - Á/600V LightMOS dans TO220 FullPak | Infineon |
| 8484 | ILB03N60 | Á/600V IGBT avec la diode monolithiquement intégrée pour des topologies résonnantes-halfbridge dans le ballast d'éclairage (40w-120w) | Infineon |
| 8485 | ILB03N60E3045A | IGBTs et DuoPacks - Á/600V LightMOS dans TO263 | Infineon |
| 8486 | ILD03N60 | IGBTs et DuoPacks - Á/600V LightMOS dans DPak | Infineon |
| 8487 | ILH100 | Optocoupleur Hermétique De Phototransistor | Infineon |
| 8488 | ILH200 | Canal Double De Phototransistor Hermétique... | Infineon |
| 8489 | ILP03N60 | IGBTs et DuoPacks - Á/600V LightMOS dans TO220 | Infineon |
| 8490 | IPB03N03LA | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 25V, D2PAK, RDSon = 2.7mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 8491 | IPB04N03L | Transistor MOSFET De Puissance D'OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon = 3.9mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 8492 | IPB04N03LA | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 25V, D2PAK, RDSon = 3.9mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 8493 | IPB05N03L | Transistor MOSFET De Puissance D'OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon = 5.2mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 8494 | IPB05N03LA | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 25V, D2PAK, RDSon = 4.6mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 8495 | IPB06N03LA | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 25V, D2PAK, RDSon = 5.9mOhm, 50A, LL | Infineon |
| 8496 | IPB07N03L | Transistor MOSFET De Puissance D'OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon = 6.2mOhm, 80A, LL | Infineon |
| 8497 | IPB09N03LA | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 25V, D2PAK, RDSon = 8.9mOhm, 50A, LL | Infineon |
| 8498 | IPB10N03L | Transistor MOSFET De Puissance D'OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon = 9.2mOhm, 7Á, LL | Infineon |
| 8499 | IPB11N03LA | OptiMOS®2 - paquets de puissance | Infineon |
| 8500 | IPB14N03LA | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 25V, D2PAK, RDSon = 13.6mOhm, 30A, LL | Infineon |
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