| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1004761 | PMG85XP | 20 V, 2 A Trench MOSFET a canale P | NXP Semiconductors |
| 1004762 | PMGD130UN | 20 V, MOSFET dual Trench N-channel | NXP Semiconductors |
| 1004763 | PMGD175XN | 30 V, MOSFET dual Trench N-channel | NXP Semiconductors |
| 1004764 | PMGD280UN | Fet doppio del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004765 | PMGD280UN | Fet doppio del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004766 | PMGD280UN | PMGD280UN; Fet doppio del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004767 | PMGD280UN | Doppio TrenchMOS N-channel ultra basso livello FET | NXP Semiconductors |
| 1004768 | PMGD290UCEA | 20/20 V, 725/500 mA N / MOSFET a canale P Trench | NXP Semiconductors |
| 1004769 | PMGD290XN | Fet doppio del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004770 | PMGD290XN | Fet doppio del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004771 | PMGD290XN | PMGD290XN; Fet doppio del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004772 | PMGD290XN | Doppio TrenchMOS N-channel livello estremamente basso FET | NXP Semiconductors |
| 1004773 | PMGD370XN | Fet doppio del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004774 | PMGD370XN | Fet doppio del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004775 | PMGD370XN | PMGD370XN; Fet doppio del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004776 | PMGD370XN | Doppio TrechMOS N-channel livello estremamente basso FET | NXP Semiconductors |
| 1004777 | PMGD400UN | Fet doppio del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004778 | PMGD400UN | Fet doppio del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004779 | PMGD400UN | PMGD400UN; Fet doppio del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004780 | PMGD400UN | Doppio TrenchMOS N-channel ultra basso livello FET | NXP Semiconductors |
| 1004781 | PMGD780SN | Fet standard doppio del livello di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004782 | PMGD780SN | Fet standard doppio del livello di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004783 | PMGD780SN | PMGD780SN; Fet standard doppio del livello di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
| 1004784 | PMGD780SN | Doppio TrenchMOS N-channel FET livello standard | NXP Semiconductors |
| 1004785 | PMGD8000LN | Fet doppio del livello di logica dei uTrenchMOS (tm) | Philips |
| 1004786 | PMGD8000LN | Fet doppio del livello di logica dei uTrenchMOS (tm) | Philips |
| 1004787 | PMGD8000LN | PMGD8000LN; Fet doppio del livello di logica dei uTrenchMOS (tm) | Philips |
| 1004788 | PMGD8000LN | Dual N-channel livello logico TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 1004789 | PMK27XP | FET del livello estremamente basso della P-scanalatura | Philips |
| 1004790 | PMK30EP | TrenchMOS P-channel livello estremamente basso FET | NXP Semiconductors |
| 1004791 | PMK35EP | TrenchMOS P-channel livello estremamente basso FET | NXP Semiconductors |
| 1004792 | PMK50XP | TrenchMOS P-channel livello estremamente basso FET | NXP Semiconductors |
| 1004793 | PML260SN | TrenchMOS N-channel FET livello standard | NXP Semiconductors |
| 1004794 | PML340SN | TrenchMOS N-channel FET livello standard | NXP Semiconductors |
| 1004795 | PMLL4148 | Alti diodi di velocitą | Philips |
| 1004796 | PMLL4148L | Alti diodi di velocitą | Philips |
| 1004797 | PMLL4150 | Alti diodi di velocitą | Philips |
| 1004798 | PMLL4151 | Alti diodi di velocitą | Philips |
| 1004799 | PMLL4153 | Alti diodi di velocitą | Philips |
| 1004800 | PMLL4153 | Diodo ad alta velocitą | NXP Semiconductors |
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