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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1069401S2600MAd alta tensione, media silicio corrente raddrizzatore controllato. Vdrm 600V.General Electric Solid State
1069402S2600NAd alta tensione, media silicio corrente raddrizzatore controllato. Vdrm 800V.General Electric Solid State
1069403S268PAllineamento Del Fotodiodo del PERNO Del SiliconeVishay
1069404S26MD01Tipo SSR del TUFFO dei 8-Perni per controllo di alimentazione bassoSHARP
1069405S26MD02Tipo SSR del TUFFO dei 8-Perni per controllo di alimentazione bassoSHARP
1069406S2700DAd alta tensione, media silicio corrente raddrizzatore controllato. Vdrm 400V.General Electric Solid State
1069407S2700MAd alta tensione, media silicio corrente raddrizzatore controllato. Vdrm 600V.General Electric Solid State
1069408S2700NAd alta tensione, media silicio corrente raddrizzatore controllato. Vdrm 800V.General Electric Solid State
1069409S28Raddrizzatori Dello SchottkyFairchild Semiconductor
1069410S2800SCRs 10 AMPČRE di RMS da 50 a 800 VOLTMotorola
1069411S2800A10A raddrizzatore controllato al silicio. Vdrm, Vrrm 100V.General Electric Solid State
1069412S2800ARaddrizzatore controllato al silicioMotorola
1069413S2800ATiristore, 10 ampere, 100 voltTeccor Electronics
1069414S2800B10A raddrizzatore controllato al silicio. Vdrm, Vrrm 200V.General Electric Solid State
1069415S2800BRaddrizzatore controllato al silicioMotorola
1069416S2800BTiristore, 10 ampere, 200 voltTeccor Electronics
1069417S2800C10A raddrizzatore controllato al silicio. Vdrm, Vrrm 300V.General Electric Solid State
1069418S2800CTiristore, 10 ampere, 300 voltTeccor Electronics
1069419S2800D10A raddrizzatore controllato al silicio. Vdrm, Vrrm 400V.General Electric Solid State



1069420S2800DRaddrizzatore controllato al silicioMotorola
1069421S2800DTiristore, 10 ampere, 400 voltTeccor Electronics
1069422S2800E10A raddrizzatore controllato al silicio. Vdrm, Vrrm 500V.General Electric Solid State
1069423S2800ETiristore, 10 ampere, 500 voltTeccor Electronics
1069424S2800F10A raddrizzatore controllato al silicio. Vdrm, Vrrm 50V.General Electric Solid State
1069425S2800FRaddrizzatore controllato al silicioMotorola
1069426S2800FTiristore, 10 ampere, 50 voltTeccor Electronics
1069427S2800M10A raddrizzatore controllato al silicio. Vdrm, Vrrm 600V.General Electric Solid State
1069428S2800MRaddrizzatore controllato al silicioMotorola
1069429S2800MTiristore, 10 ampere, 600 voltTeccor Electronics
1069430S2800N10A raddrizzatore controllato al silicio. Vdrm, Vrrm 800V.General Electric Solid State
1069431S2800NRaddrizzatore controllato al silicioMotorola
1069432S2800S10A raddrizzatore controllato al silicio. Vdrm, Vrrm 700V.General Electric Solid State
1069433S2803R3SHi-Rel-Rel singolo convertitore Rad-Duro CC-CC in un pacchetto di S con 3,3 VoutInternational Rectifier
1069434S2805SHi-Rel-Rel singolo convertitore Rad-Duro CC-CC in un pacchetto di S con 5 VoutInternational Rectifier
1069435S2812SHi-Rel-Rel singolo convertitore Rad-Duro CC-CC in un pacchetto di S con 12 VoutInternational Rectifier
1069436S2815SHi-Rel-Rel singolo convertitore Rad-Duro CC-CC in un pacchetto di S con 15 VoutInternational Rectifier
1069437S29Raddrizzatori Dello SchottkyFairchild Semiconductor
1069438S29255ACmos 2K/4K EPROM Bit-serialeSeiko Instruments Inc
1069439S29GL512N, S29GL256N, S29GL128N512 megabit, 256 megabit e 128 megabit, memoria dell'istantaneo di modo della pagina da 3,0 Volt-soltanto che caratterizza tecnologia della trasformazione di 110 nm MirrorBitAdvanced Micro Devices
1069440S2ARaddrizzatori Per tutti gli usi (Vetro Passivato)Fairchild Semiconductor
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