No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
256001 | BD159-D | Transistore Medio Di plastica Del Silicone Di Alimentazione NPN | ON Semiconductor |
256002 | BD159STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256003 | BD165 | Transistore Medio Di plastica Del Silicone NPN Di Alimentazione | Motorola |
256004 | BD165 | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 1.500A Ic, 40 hFE. BD166 complementare | Continental Device India Limited |
256005 | BD166 | Transistore Medio Di plastica Del Silicone PNP Di Alimentazione | Motorola |
256006 | BD166 | 20.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 45V, 1.500A Ic, 40 hFE. BD165 complementare | Continental Device India Limited |
256007 | BD167 | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 1.500A Ic, 40 hFE. BD168 complementare | Continental Device India Limited |
256008 | BD168 | 20.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 1.500A Ic, 40 hFE. BD167 complementare | Continental Device India Limited |
256009 | BD168 | PNP transistor di potenza al silicio. 1,5 A, 60 V, 20 W. | Motorola |
256010 | BD169 | Transistore Medio Di plastica Del Silicone NPN Di Alimentazione | Motorola |
256011 | BD169 | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.500A Ic, 40 hFE. BD170 complementare | Continental Device India Limited |
256012 | BD170 | 20.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 80V, 1.500A Ic, 40 hFE. BD169 complementare | Continental Device India Limited |
256013 | BD170 | PNP transistor di potenza al silicio. 1,5 A, 80 V, 20 W. | Motorola |
256014 | BD175 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256015 | BD175 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
256016 | BD175 | 30.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
256017 | BD175-10 | 30.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
256018 | BD175-16 | 30.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 100-250 hFE. | Continental Device India Limited |
256019 | BD175-6 | 30.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
256020 | BD17510STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256021 | BD17516STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256022 | BD1756STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256023 | BD176 | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
256024 | BD176 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
256025 | BD176 | 30.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
256026 | BD176-10 | 30.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
256027 | BD176-16 | 30.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 100-250 hFE. | Continental Device India Limited |
256028 | BD176-6 | 30.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
256029 | BD17610STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
256030 | BD1766STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
256031 | BD177 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
256032 | BD177 | Alimentazione media lineare ed applicazioni di commutazione | Fairchild Semiconductor |
256033 | BD177 | 30.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
256034 | BD177-10 | 30.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
256035 | BD177-6 | 30.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
256036 | BD178 | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
256037 | BD178 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
256038 | BD178 | 30.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
256039 | BD178-10 | 30.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
256040 | BD178-6 | 30.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
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