| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 26081 | 1N5525B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26082 | 1N5525B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26083 | 1N5525B | Uso generale Al piombo Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
| 26084 | 1N5525B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 6,2 V Corrente di prova 1.0 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26085 | 1N5525B (DO35) | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26086 | 1N5525B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26087 | 1N5525B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26088 | 1N5525BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26089 | 1N5525C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26090 | 1N5525C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26091 | 1N5525D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26092 | 1N5525D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26093 | 1N5526 | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26094 | 1N5526 | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26095 | 1N5526 | RENDIMENTO ELEVATO DEI DIODI ZENER DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE: RUMORE BASSO, PERDITA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
| 26096 | 1N5526A | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26097 | 1N5526A | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 6,8 V Corrente di prova 1.0 mAcc. + -10% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26098 | 1N5526B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26099 | 1N5526B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26100 | 1N5526B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26101 | 1N5526B | Uso generale Al piombo Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
| 26102 | 1N5526B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 6,8 V Corrente di prova 1.0 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26103 | 1N5526B (DO35) | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26104 | 1N5526B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26105 | 1N5526B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26106 | 1N5526BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26107 | 1N5526C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26108 | 1N5526C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26109 | 1N5526D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26110 | 1N5526D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26111 | 1N5527 | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26112 | 1N5527 | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26113 | 1N5527 | RENDIMENTO ELEVATO DEI DIODI ZENER DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE: RUMORE BASSO, PERDITA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
| 26114 | 1N5527A | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26115 | 1N5527A | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 7,5 V Corrente di prova 1.0 mAcc. + -10% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26116 | 1N5527B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26117 | 1N5527B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26118 | 1N5527B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26119 | 1N5527B | Uso generale Al piombo Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
| 26120 | 1N5527B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 7,5 V Corrente di prova 1.0 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
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