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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
318561CN24020NModuli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce Eccellente 20 Volt Amperes/300-600Powerex Power Semiconductors
318562CN2403020NModuli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce Eccellente 20 Volt Amperes/300-600Powerex Power Semiconductors
318563CN2403500NModuli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce Eccellente 50 Volt Amperes/300-600Powerex Power Semiconductors
318564CN2406020NModuli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce Eccellente 20 Volt Amperes/300-600Powerex Power Semiconductors
318565CN240610Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 100 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
318566CN240650Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 50 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
318567CN2406500NModuli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce Eccellente 50 Volt Amperes/300-600Powerex Power Semiconductors
318568CN2410Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 100 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
318569CN241210Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 100 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
318570CN241250Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 50 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
318571CN2450Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 50 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
318572CN24500NModuli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce Eccellente 50 Volt Amperes/300-600Powerex Power Semiconductors
318573CN25ADIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318574CN25BDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318575CN25DDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318576CN25GDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318577CN25JDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318578CN25KDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318579CN25MDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors



318580CN300Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. 25V Vceo, A Ic, 50-300 hFEContinental Device India Limited
318581CN301Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. 35V Vceo, A Ic, 50-300 hFEContinental Device India Limited
318582CN302Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. 35V Vceo, A Ic, 20 - hFEContinental Device India Limited
318583CN303Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. 45V Vceo, A Ic, 50-300 hFEContinental Device India Limited
318584CN304Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. 70V Vceo, A Ic, 50-300 hFEContinental Device India Limited
318585CN3ADIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318586CN3BDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318587CN3DDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318588CN3GDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318589CN3JDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318590CN3KDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318591CN3MDIODI DI RADDRIZZATORE DELLE CELLULEEIC discrete Semiconductors
318592CN410899Prigioniero di guerra-r-blok doppio & singolo diodo isolato ampčre/fino a del modulo 100 1600 voltPowerex Power Semiconductors
318593CN410899A800V, 100A uso generale anodo comune diodoPowerex Power Semiconductors
318594CN411299Prigioniero di guerra-r-blok doppio & singolo diodo isolato ampčre/fino a del modulo 100 1600 voltPowerex Power Semiconductors
318595CN411299A1200V, 100A uso generale anodo comune diodoPowerex Power Semiconductors
318596CN411699Prigioniero di guerra-r-blok doppio & singolo diodo isolato ampčre/fino a del modulo 100 1600 voltPowerex Power Semiconductors
318597CN411699A1600V, 100A uso generale anodo comune diodoPowerex Power Semiconductors
318598CN4156Diodo Zener Al piombo StabistorCentral Semiconductor
318599CN4157Diodo Zener Al piombo StabistorCentral Semiconductor
318600CN450Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 1.000A Ic, 100-300 hFEContinental Device India Limited
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