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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
391681E2560Moduli Di E2560/E2580-Type 10 Gbits/s EMLAgere Systems
391682E258Numeri Di modello Precedenti Di VectronVectron
391683E258010 Gbit / s modulo EML. GPO ingresso connettore RF.Agere Systems
391684E25AT-1 e T-1 3/4, LED infrarossiGilway Technical Lamp
391685E25A2CPRDiodo Dell'Alternatore (Negativo)Korea Electronics (KEC)
391686E25A2CPSDiodo Dell'Alternatore (Positivo)Korea Electronics (KEC)
391687E260Ultra luminoso rosso, mini LED. Traslucido Lens. Intensitą luminosa a 10mA: 20.0mcd (min), 60.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 1.85V (tip), 2,5 V (max) (max).Gilway Technical Lamp
391688E261Alta efficienza rosso, mini LED. Traslucido Lens. Intensitą luminosa a 10mA: 4.0mcd (min), 7.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.0V (tip), 2,5 V (max) (max).Gilway Technical Lamp
391689E262Arancione, mini LED. Traslucido Lens. Intensitą luminosa a 10mA: 3.0mcd (min), 7.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.0V (tip), 2.6V (max).Gilway Technical Lamp
391690E263Giallo, mini LED. Traslucido Lens. Intensitą luminosa a 10mA: 2.0mcd (min), 3.5mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.1V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391691E264Super luminoso verde, mini LED. Traslucido Lens. Intensitą luminosa a 10mA: 10.0mcd (min), 16.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.2V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391692E265Red T-1 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 10mA: 40.0mcd (min), 80.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 1.85V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391693E266Red T-1 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 10mA: 3.2mcd (min), 12.5mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.0V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391694E267Arancione T-1 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 10mA: 3.2mcd (min), 12.5mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.0V (tip), 2.6V (max).Gilway Technical Lamp
391695E268Giallo T-1 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 10mA: 1.3mcd (min), 8.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.1V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391696E269Green T-1 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 10mA: 8.0mcd (min), 20.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.2V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391697E26AT-1 e T-1 3/4, LED infrarossiGilway Technical Lamp
391698E270Red T-1 3/4 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 20mA: 25mcd (min), 60mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 1.85V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391699E271Red T-1 3/4 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 20mA: 3.2mcd (min), 12.5mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.0V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp



391700E272Arancione T-1 3/4 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 20mA: 3.2mcd (min), 12.5mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.0V (tip), 2.6V (max).Gilway Technical Lamp
391701E273Giallo T-1 3/4 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 20mA: 1.3mcd (min), 8.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.1V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391702E274Green T-1 3/4 superiore piana LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 20mA: 5mcd (min), 20mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.2V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391703E276Red T-1 3/4 Fresnel a LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 20mA: 30mcd (min), 50mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 1.85V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391704E277Giallo T-1 3/4 Fresnel LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 20mA: 3.2mcd (min), 5.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.1V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391705E278Green T-1 3/4 Fresnel a LED. Lens diffusa. Intensitą luminosa a 20mA: 3.2mcd (min), 5.0mcd (max). Tensione diretta a 20mA: 2.2V (tip), 2,5 V (max).Gilway Technical Lamp
391706E28LED MiniaturaGilway Technical Lamp
391707E28.6A-SPacchetti di plastica per i circuiti integratiIntersil
391708E2801GR-253-Core SMC (orologio minimo di SONET) e supporto TCXO della superficie di Minature di opzione 2 di ITU G.813Semtech
391709E2801LFGR-253-Core SMC (orologio minimo di SONET) e supporto TCXO della superficie di Minature di opzione 2 di ITU G.813Semtech
391710E28AElemento portante Di Circuito integrato Di ceramica Di Leadless Dei 28 Cavi, Tipo CNational Semiconductor
391711E28F001BN-B1201 Mbit (128K x 8) blocco di avvio memoria flash. Velocitą di accesso 120 nsIntel
391712E28F001BN-B1501 Mbit (128K x 8) blocco di avvio memoria flash. Velocitą di accesso 150 nsIntel
391713E28F001BN-B701 Mbit (128K x 8) blocco di avvio memoria flash. Velocitą di accesso di 70 nsIntel
391714E28F001BN-B901 Mbit (128K x 8) blocco di avvio memoria flash. Velocitą di accesso di 90 nsIntel
391715E28F001BN-T1201 Mbit (128K x 8) blocco di avvio memoria flash. Velocitą di accesso 120 nsIntel
391716E28F001BN-T1501 Mbit (128K x 8) blocco di avvio memoria flash. Velocitą di accesso 120 nsIntel
391717E28F001BN-T701 Mbit (128K x 8) blocco di avvio memoria flash. Velocitą di accesso di 70 nsIntel
391718E28F001BN-T901 Mbit (128K x 8) blocco di avvio memoria flash. Velocitą di accesso di 90 nsIntel
391719E28F001BX-B1201-mbit (MEMORIA dell'cIstantaneo del BLOCCHETTO del CARICAMENTO DEL SISTEMA di 128K x 8)Intel
391720E28F001BX-B1501-mbit (MEMORIA dell'cIstantaneo del BLOCCHETTO del CARICAMENTO DEL SISTEMA di 128K x 8)Intel
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