| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 411961 | FC654601 | Piccoli MOSFET di segnale | Panasonic |
| 411962 | FC694301 | Piccoli MOSFET di segnale | Panasonic |
| 411963 | FC694308 | MOSFET di commutazione del carico | Panasonic |
| 411964 | FC694309 | MOSFET di commutazione del carico | Panasonic |
| 411965 | FC694601 | Piccoli MOSFET di segnale | Panasonic |
| 411966 | FC6A2106 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 411967 | FC6B2115 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 411968 | FC6B2209 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 411969 | FC6B2210 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 411970 | FC6B2216 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 411971 | FC6B2222 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 411972 | FC7113 | Modulo dell'amplificatore di alimentazione per CDMA/AMPS | etc |
| 411973 | FC7113 | Modulo dell'amplificatore di alimentazione per CDMA/AMPS | etc |
| 411974 | FC801 | Diodo composito per le applicazioni ad alta velocitą di commutazione | SANYO |
| 411975 | FC802 | Diodo composito per le applicazioni ad alta velocitą di commutazione | SANYO |
| 411976 | FC803 | 30V, Diodo Di Barriera Dello Schottky Del Silicone Di Raddrizzatore 70mA | SANYO |
| 411977 | FC804 | 30V, Diodo Di Barriera Dello Schottky Del Silicone Di Raddrizzatore 200mA | SANYO |
| 411978 | FC805 | 30V, Diodo Di Barriera Dello Schottky Del Silicone Di Raddrizzatore 500mA | SANYO |
| 411979 | FC806 | 50V, Diodo Di Barriera Dello Schottky Del Silicone Di Raddrizzatore 100mA | SANYO |
| 411980 | FC807 | Terreno comunale Composito Dell'Anodo Del Diodo Di Commutazione Ad alta velocitą | SANYO |
| 411981 | FC808 | Terreno comunale Composito Del Catodo Del Diodo Di Commutazione Ad alta velocitą | SANYO |
| 411982 | FC809 | 30V, Diodo Di Barriera Del Silicone Di Raddrizzatore 70mA | SANYO |
| 411983 | FC80960HA25SL2GU | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411984 | FC80960HA33SL2GV | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411985 | FC80960HA33SL2GV | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411986 | FC80960HA40SL2GW | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411987 | FC80960HD32SL2GL | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411988 | FC80960HD50SL2GM | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411989 | FC80960HD66SL2GN | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411990 | FC80960HD80SL2GZ | Processore superscalare ad alte prestazioni a 32-bit. Nucleo velocitą 80 MHz, velocitą del bus a 40 MHz | Intel |
| 411991 | FC80960HD80SL2LZ | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411992 | FC80960HT60SL2G2 | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411993 | FC80960HT75SL2GT | Processor Ad alto rendimento 32-Bit di 80960HA/hd/ht Superscalar | Intel |
| 411994 | FC810 | 15V, Diodo Di Barriera Del Silicone Di Raddrizzatore 700mA | SANYO |
| 411995 | FC8J3304 | MOSFET per il convertitore DC-DC | Panasonic |
| 411996 | FC8V2204 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 411997 | FC8V2208 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 411998 | FC8V2209 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 411999 | FC8V2215 | MOSFET per agli ioni di litio di protezione della batteria | Panasonic |
| 412000 | FC8V3303 | MOSFET per il convertitore DC-DC | Panasonic |
| | | |
