| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 501961 | HN3A51F | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501962 | HN3B01F | TIPO EPITASSIALE DI PNP (APPLICAZIONI PER TUTTI GLI USI DELL'CAmplificatore DI FREQUENZA AUDIO) | TOSHIBA |
| 501963 | HN3B02FU | Silicone PNP Del TransistoreˇApplicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo di NPN (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 501964 | HN3C01F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501965 | HN3C01FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501966 | HN3C02F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501967 | HN3C02FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501968 | HN3C03F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501969 | HN3C03FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501970 | HN3C09F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501971 | HN3C09FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501972 | HN3C10F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501973 | HN3C10FE | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 501974 | HN3C10FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 501975 | HN3C10FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501976 | HN3C11F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501977 | HN3C11FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501978 | HN3C12 | TIPO PLANARE EPITASSIALE DI NPN (APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA DI VHF~uhf) | TOSHIBA |
| 501979 | HN3C12F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501980 | HN3C12FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501981 | HN3C13F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501982 | HN3C13FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501983 | HN3C14 | TIPO PLANARE EPITASSIALE DI NPN (APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA DI VHF~uhf) | TOSHIBA |
| 501984 | HN3C14F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501985 | HN3C14FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 501986 | HN3C14FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501987 | HN3C15F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501988 | HN3C15FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501989 | HN3C16F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501990 | HN3C16FT | Nuovi Prodotti di Rf | TOSHIBA |
| 501991 | HN3C16FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501992 | HN3C17F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501993 | HN3C17FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501994 | HN3C18F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501995 | HN3C18FT | Nuovi Prodotti di Rf | TOSHIBA |
| 501996 | HN3C18FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501997 | HN3C51F | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501998 | HN3C56FU | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501999 | HN3C67FE | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502000 | HN3G01 | TRANSISTORE EPITASSIALE Del TIPO Del SILICONE NPN Del Fet Del TIPO Della GIUNZIONE Della MANICA Di N | TOSHIBA |
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