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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
610921KM44C4000CS-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610922KM44C4000CSL-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610923KM44C4000CSL-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610924KM44C4003CDRAM di CAS del quad di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
610925KM44C4003CK-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610926KM44C4003CK-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610927KM44C4003CKL-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610928KM44C4003CKL-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610929KM44C4003CS-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610930KM44C4003CS-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610931KM44C4003CSL-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610932KM44C4003CSL-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610933KM44C4005CDRAM di CAS del quad di 4M x 4Bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
610934KM44C4005CK-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
610935KM44C4005CK-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
610936KM44C4005CKL-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
610937KM44C4005CKL-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
610938KM44C4005CS-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
610939KM44C4005CS-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic



610940KM44C4005CSL-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
610941KM44C4005CSL-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
610942KM44C4100CRAM dinamica di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
610943KM44C4100CK-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610944KM44C4100CK-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610945KM44C4100CKL-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610946KM44C4100CKL-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610947KM44C4100CS-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610948KM44C4100CS-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
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610953KM44C4103CK-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610954KM44C4103CKL-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610955KM44C4103CKL-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610956KM44C4103CS-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610957KM44C4103CS-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610958KM44C4103CSL-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
610959KM44C4103CSL-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
610960KM44C4104A-550ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi suSamsung Electronic
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