| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 692081 | M368L3223ETN-CB3 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692082 | M368L3223ETN-CLB3 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692083 | M368L3223FTN | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb F-muore con 64/72-bit Non-ECC/ECC | Sanken |
| 692084 | M368L3223FTN-CB3LAA | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb F-muore con 64/72-bit Non-ECC/ECC | Sanken |
| 692085 | M368L3313BT1 | 32M x 64 DDR SDRAM 184pin DIMM basato sul foglio di dati 16Mx8 | Samsung Electronic |
| 692086 | M368L3313BT1 | 32M x 64 DDR SDRAM 184pin DIMM basato su presenza di serie 16Mx8 rilevano | Samsung Electronic |
| 692087 | M368L3313CT1 | 32Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM basato su presenza di serie 16Mx8 rilevano | Samsung Electronic |
| 692088 | M368L3313CT1 | 32Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM basato sul foglio di dati 16Mx8 | Samsung Electronic |
| 692089 | M368L3324CUS-CLCC | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692090 | M368L5623MTN | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692091 | M368L5623MTN-CA2 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692092 | M368L5623MTN-CB0 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692093 | M368L5623MTN-CB3 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692094 | M368L6423DTM-CCC | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb D-muore 64/72-bitnon ECC/ECC | Samsung Electronic |
| 692095 | M368L6423DTM-CCC/C4 | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb D-muore 64/72-bitnon ECC/ECC | Samsung Electronic |
| 692096 | M368L6423DTM-LCC | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb D-muore 64/72-bitnon ECC/ECC | Samsung Electronic |
| 692097 | M368L6423DTM-LCC/C4 | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb D-muore 64/72-bitnon ECC/ECC | Samsung Electronic |
| 692098 | M368L6423ETM | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692099 | M368L6423ETM-CC5 | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb E-muore 64/72-bitECC/Non ECC | Samsung Electronic |
| 692100 | M368L6423ETM-CCC4 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692101 | M368L6423ETM-LC5 | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb E-muore 64/72-bitECC/Non ECC | Samsung Electronic |
| 692102 | M368L6423ETN-A2 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692103 | M368L6423ETN-AA | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692104 | M368L6423ETN-B0 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692105 | M368L6423ETN-CB3 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692106 | M368L6423ETN-CLB3 | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692107 | M368L6423FTN | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb F-muore con 64/72-bit Non-ECC/ECC | Sanken |
| 692108 | M368L6423FTN-CB3B0 | il modulo non tamponato di 184pin basato su 256Mb F-muore con 64/72-bit Non-ECC/ECC | Sanken |
| 692109 | M368L6523CUS | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692110 | M368L6523CUS-CCC | Modulo Non tamponato di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 692111 | M36D0R6040T0 | memoria istantanea di 64 Mbit (4Mb x16, la Banca multipla, pagina) e 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, pacchetto del Multi-Circuito integrato | ST Microelectronics |
| 692112 | M36D0R6040T0ZAIT | memoria istantanea di 64 Mbit (4Mb x16, la Banca multipla, pagina) e 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, pacchetto del Multi-Circuito integrato | ST Microelectronics |
| 692113 | M36DR232 | UNA MEMORIA ISTANTANEA DI 32 MBIT (2MB X16, LA BANCA DOPPIA, PAGINA) E 2 MBIT (128CK X16) SRAM, PRODOTTO DI MEMORIA MULTIPLO | ST Microelectronics |
| 692114 | M36DR232 | UNA MEMORIA ISTANTANEA DI 32 MBIT (2MB X16, LA BANCA DOPPIA, PAGINA) E 2 MBIT (128CK X16) SRAM, PRODOTTO DI MEMORIA MULTIPLO | SGS Thomson Microelectronics |
| 692115 | M36DR232A | 32 Mbit 2Mb x16, Banca doppia, memoria istantaneadella pagina e 2 Mbit 128K x16 SRAM, prodotto di memoria multiplo | ST Microelectronics |
| 692116 | M36DR232AZA | 32 Mbit 2Mb x16, Banca doppia, memoria istantaneadella pagina e 2 Mbit 128K x16 SRAM, prodotto di memoria multiplo | ST Microelectronics |
| 692117 | M36DR232B | 32 Mbit 2Mb x16, Banca doppia, memoria istantaneadella pagina e 2 Mbit 128K x16 SRAM, prodotto di memoria multiplo | ST Microelectronics |
| 692118 | M36DR232BZA | 32 Mbit 2Mb x16, Banca doppia, memoria istantaneadella pagina e 2 Mbit 128K x16 SRAM, prodotto di memoria multiplo | ST Microelectronics |
| 692119 | M36DR432-ZAT | 32 Mbit 2Mb x16/memoria istantanea doppia pagina/della Banca e 4 Mbit 256K x16 SRAM/prodotto di memoria multiplo | ST Microelectronics |
| 692120 | M36DR432A | UNA MEMORIA ISTANTANEA DI 32 MBIT (2MB X16, LA BANCA DOPPIA, PAGINA) E 4 MBIT (256CK X16) SRAM, PRODOTTO DI MEMORIA MULTIPLO | ST Microelectronics |
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