|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 22041 | 22042 | 22043 | 22044 | 22045 | 22046 | 22047 | 22048 | 22049 | 22050 | 22051 | >>
No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
881801MJE172Alimentazione Á 80V PNPON Semiconductor
881802MJE17212.500W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 80V, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
881803MJE172-100 V, -1 A, transistor PNP epitassiale di silicioSamsung Electronic
881804MJE172STUTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
881805MJE180Transistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
881806MJE180ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(3.0a, 40-80v, 12.5w)MOSPEC Semiconductor
881807MJE180Uso generale Al piombo Del Transistore Di AlimentazioneCentral Semiconductor
881808MJE18012.500W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 40V, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
881809MJE18060 V, 3 A, transistor NPN silicio epitassialeSamsung Electronic
881810MJE18002TRANSISTORE di ALIMENTAZIONE 2,0 AMPÈRE 1000 VOLT 25 e 50 WATTMotorola
881811MJE18002Switchmode™ON Semiconductor
881812MJE18002-DTransistore Di Alimentazione Bipolare di SWITCHMODE NPN Per Le Applicazioni Del Gruppo di alimentazione Di CommutazioneON Semiconductor
881813MJE18002D2TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE 2 AMPÈRE 1000 VOLT 50 WATTMotorola
881814MJE18002D2Ad alta velocità, ad alto guadagno bipolare di NPN Transistor di potenza integrato con collettore-emettitore Diodo e Built-in efficiente Antisaturation NetworkON Semiconductor
881815MJE18002D2-DTransistore di alimentazione bipolare di guadagno ad alta velocità e alto NPN con il diodo integrato del collector-Emitter e TRANSISTORI di ALIMENTAZIONE efficienti incorporati della rete di Antisaturation 2 AMPÈRE 1000 VOLT 50 WATTON Semiconductor
881816MJE18004TRANSISTORE di ALIMENTAZIONE 5,0 AMPÈRE 1000 VOLT 35 e 75 WATTMotorola
881817MJE18004Switchmode™ON Semiconductor
881818MJE18004Switchmode™ON Semiconductor
881819MJE18004-DTransistore Di Alimentazione Bipolare di SWITCHMODE NPN Per Le Applicazioni Del Gruppo di alimentazione Di CommutazioneON Semiconductor



881820MJE18004D2TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE 5 AMPÈRE 1000 VOLT 75 WATTMotorola
881821MJE18004D2Transistore di alimentazione bipolare di guadagno ad alta velocità e alto NPN con il diodo integrato del collector-Emitter ed Antisaturation efficiente incorporato...ON Semiconductor
881822MJE18004D2Transistore di alimentazione bipolare di guadagno ad alta velocità e alto NPN con il diodo integrato del collector-Emitter ed Antisaturation efficiente incorporato...ON Semiconductor
881823MJE18004D2-DTransistore di alimentazione bipolare di guadagno ad alta velocità e alto NPN con il diodo integrato del collector-Emitter e TRANSISTORI di ALIMENTAZIONE efficienti incorporati della rete di Antisaturation 5 AMPÈRE 1000 VOLT 75 WATTON Semiconductor
881824MJE18006TRANSISTORE di ALIMENTAZIONE 6,0 AMPÈRE 1000 VOLT 40 e 100 WATTMotorola
881825MJE18006Alimentazione Å 450V NPNON Semiconductor
881826MJE18006-DTransistore Di Alimentazione Bipolare di SWITCHMODE NPN Per Le Applicazioni Del Gruppo di alimentazione Di CommutazioneON Semiconductor
881827MJE18008TRANSISTORE di ALIMENTAZIONE 8,0 AMPÈRE 1000 VOLT 45 e 125 WATTMotorola
881828MJE18008Transistore Di Alimentazione Bipolare di SWITCHMODE™ NPN Per Le Applicazioni Del Gruppo di alimentazione Di CommutazioneON Semiconductor
881829MJE18008-DTransistore Di Alimentazione Bipolare di SWITCHMODE NPN Per Le Applicazioni Del Gruppo di alimentazione Di CommutazioneON Semiconductor
881830MJE18009TRANSISTORI di ALIMENTAZIONE 10 AMPÈRE 1000 VOLT 50 e 150 WATTMotorola
881831MJE18009-DTransistore Di Alimentazione Planare Del Silicone di SWITCHMODE NPNON Semiconductor
881832MJE180STUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
881833MJE181Transistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
881834MJE181ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(3.0a, 40-80v, 12.5w)MOSPEC Semiconductor
881835MJE181UN SILICONE COMPLEMENTARE DEI 3 DI AMPÈRE TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE 60-80 VOLT 12,5 WATTMotorola
881836MJE181Uso generale Al piombo Del Transistore Di AlimentazioneCentral Semiconductor
881837MJE181Alimentazione Á 60V NPNON Semiconductor
881838MJE18112.500W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
881839MJE18160 V, 3 A, transistor NPN silicio epitassialeSamsung Electronic
881840MJE181STUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 22041 | 22042 | 22043 | 22044 | 22045 | 22046 | 22047 | 22048 | 22049 | 22050 | 22051 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com