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Osservare tutti i fogli di dati per International Rectifier200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766, 		Scarica IRF250 datasheet de
International Rectifier		 pdf
151 kb
Osservare tutti i fogli di dati per SemeLABMosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF250 datasheet de
SemeLAB		 pdf
27 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 30A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF252, IRF251, IRF253, 		Scarica IRF250 datasheet de
General Electric Solid State		 pdf
200 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF250 datasheet de
Samsung Electronic		 pdf
220 kb
Osservare tutti i fogli di dati per IntersilMosfet Di Alimentazione 200V/Di 30A/0,085 Ohm/N-Scanalatura Scarica IRF250 datasheet de
Intersil		 pdf
62 kb
IRF247Vista IRF250 al nostro catalogoIRF250SMD



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