|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 262 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
251SMPP1087P-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
252U290N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
253U291N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
254U308N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
255U309N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
256U310N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
257U311Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
258U350Giunzione ibrida quad silicio array di transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
259U430Doppia giunzione di silicio transistor ad effetto di campo a canale NInterFET Corporation
260U431Doppia giunzione di silicio transistor ad effetto di campo a canale NInterFET Corporation
261VCR11Resistore Controllato JFET Di Tensione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
262VCR3PResistore Controllato JFET Di Tensione Del Silicone Della P-ScanalaturaInterFET Corporation

Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/it/interfetcorporation/1/