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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
512SA2002600mW piombo transistor PNP telaio, massima valutazione: -20V Vceo, -700mA Ic, 150-800 hFE. 2SC5485 complementareIsahaya Electronics Corporation
522SA2027 TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONEIsahaya Electronics Corporation
532SA2027 TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONEIsahaya Electronics Corporation
542SA2068TRANSISTORE DI SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
552SA2068TRANSISTORE DI SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
562SA2068ETRANSISTORE DI SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
572SA2068ETRANSISTORE DI SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
582SA2068FTRANSISTORE DI SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
592SA2068FTRANSISTORE DI SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
602SA2068GTRANSISTORE DI SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
612SA2068GTRANSISTORE DI SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
622SB1035900mW piombo transistor PNP telaio, massima valutazione: -25V Vceo, -1A Ic, 55-300 hFE. 2SD1447 complementareIsahaya Electronics Corporation
632SB13142W transistor PNP telaio di piombo, la massima valutazione: -60V Vceo, -3A Ic, 150 a 500 hFE.Isahaya Electronics Corporation
642SC3052A BASSA FREQUENZA AMPLIFICHI IL TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONEIsahaya Electronics Corporation
652SC3052A BASSA FREQUENZA AMPLIFICHI IL TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONEIsahaya Electronics Corporation
662SC3052A BASSA FREQUENZA AMPLIFICHI IL TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONEIsahaya Electronics Corporation
672SC3053Transistor 150mW SMD NPN, massima valutazione: 25V Vceo, 30mA Ic, 35-180 hFE. corrispondono 2SC710Isahaya Electronics Corporation
682SC3242900mW piombo transistor NPN telaio, massima valutazione: 16V Vceo, 2A Ic, 150-800 hFE. 2SA1282 complementareIsahaya Electronics Corporation
692SC3242A900mW piombo transistor NPN telaio, massima valutazione: 20V Vceo, 2A Ic, 150 a 500 hFE. 2SA1282A complementareIsahaya Electronics Corporation
702SC3243900mW piombo transistor NPN telaio, massima valutazione: 60V Vceo, 1A Ic, 55-300 hFE. 2SA1283 complementareIsahaya Electronics Corporation
712SC3244900mW piombo transistor NPN telaio, massima valutazione: 100V Vceo, 500mA Ic, 55-300 hFE. 2SA1284 complementareIsahaya Electronics Corporation
722SC3245900mW piombo transistor NPN telaio, massima valutazione: 120V Vceo, 100mA Ic, 150-800 hFE. 2SA1285 complementareIsahaya Electronics Corporation
732SC3245A900mW piombo transistor NPN telaio, massima valutazione: 150V Vceo, 100mA Ic, 150 a 500 hFE. 2SA1285A complementareIsahaya Electronics Corporation
742SC3246900mW piombo transistor NPN telaio, massima valutazione: 25V Vceo, 1.5A Ic, 400-3000 hFE. 2SA1286 complementareIsahaya Electronics Corporation
752SC3247PER IL TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DELL'AZIONAMENTO DEL RELČ APPLICAITONIsahaya Electronics Corporation
762SC3247PER IL TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DELL'AZIONAMENTO DEL RELČ APPLICAITONIsahaya Electronics Corporation



772SC3247PER IL TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DELL'AZIONAMENTO DEL RELČ APPLICAITONIsahaya Electronics Corporation
782SC3249PER PICCOLO TIPO APPLICAZIONE DELL'USCITA DI INTENSITŔ DI COLORE TVIsahaya Electronics Corporation
792SC3249PER PICCOLO TIPO APPLICAZIONE DELL'USCITA DI INTENSITŔ DI COLORE TVIsahaya Electronics Corporation
802SC3249PER PICCOLO TIPO APPLICAZIONE DELL'USCITA DI INTENSITŔ DI COLORE TVIsahaya Electronics Corporation
812SC3438Transistor 500mW SMD NPN, massima valutazione: 100V Vceo, 500mA Ic, 55-300 hFE. 2SA1368 complementareIsahaya Electronics Corporation
822SC3439PER PICCOLO TIPO TIPO EPITASSIALE DI APPLICAZIONE SILCONNPN DELL'AZIONAMENTO DEL NUCLEO MOBILE DEL MOTOREIsahaya Electronics Corporation
832SC3439PER PICCOLO TIPO TIPO EPITASSIALE DI APPLICAZIONE SILCONNPN DELL'AZIONAMENTO DEL NUCLEO MOBILE DEL MOTOREIsahaya Electronics Corporation
842SC3439PER PICCOLO TIPO TIPO EPITASSIALE DI APPLICAZIONE SILCONNPN DELL'AZIONAMENTO DEL NUCLEO MOBILE DEL MOTOREIsahaya Electronics Corporation
852SC3440TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTOIsahaya Electronics Corporation
862SC3440TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTOIsahaya Electronics Corporation
872SC3440TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTOIsahaya Electronics Corporation
882SC3441TRANSISTORE DEL SILICONE NPN EPTAXIALIsahaya Electronics Corporation
892SC3441TRANSISTORE DEL SILICONE NPN EPTAXIALIsahaya Electronics Corporation
902SC3441TRANSISTORE DEL SILICONE NPN EPTAXIALIsahaya Electronics Corporation
912SC3443PER IL TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTOIsahaya Electronics Corporation
922SC3443PER IL TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTOIsahaya Electronics Corporation
932SC3443PER IL TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTOIsahaya Electronics Corporation
942SC3444PER IL TIPO EPITASSIALE A BASSA FREQUENZA DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DI ALIMENTAZIONE AMPLFYIsahaya Electronics Corporation
952SC3444PER IL TIPO EPITASSIALE A BASSA FREQUENZA DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DI ALIMENTAZIONE AMPLFYIsahaya Electronics Corporation
962SC3444PER IL TIPO EPITASSIALE A BASSA FREQUENZA DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DI ALIMENTAZIONE AMPLFYIsahaya Electronics Corporation
972SC3580900mW piombo transistor NPN telaio, massima valutazione: 20V Vceo, 700mA Ic, 150-800 hFE. 2SA1398 complementareIsahaya Electronics Corporation
982SC3581900mW piombo transistor NPN telaio, massima valutazione: 50V Vceo, 400mA Ic, 90-500 hFE. 2SA1399 complementareIsahaya Electronics Corporation
992SC3728PER IL TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTOIsahaya Electronics Corporation
1002SC3728PER IL TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTOIsahaya Electronics Corporation

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