| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 2001 | NTE5529 | Raddrizzatore controllato al silicio (SCR), 25A. Picco ripetitiva e la tensione inversa Vdrm, Vrrm = 600V. RMS corrente forard It (rms) = 25A. | NTE Electronics |
| 2002 | NTE553 | Diodo Di Barriera Dello Schottky | NTE Electronics |
| 2003 | NTE5530 | Raddrizzatore controllato al silicio (SCR), 25A. Picco ripetitiva e la tensione inversa Vdrm, Vrrm = 700V. RMS corrente forard It (rms) = 25A. | NTE Electronics |
| 2004 | NTE5531 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR), 2Ä | NTE Electronics |
| 2005 | NTE5536 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) | NTE Electronics |
| 2006 | NTE5538 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 800VDRM, 50A | NTE Electronics |
| 2007 | NTE5539 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 55 Ampère | NTE Electronics |
| 2008 | NTE5540 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 55 Ampère | NTE Electronics |
| 2009 | NTE5541 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 35 Ampère | NTE Electronics |
| 2010 | NTE5542 | Raddrizzatore controllato al silicio (SCR). Picco ripetitiva off-stato e tensione inversa Vdrm, Vrrm = 100V. RMS sullo stato di 35A di corrente. | NTE Electronics |
| 2011 | NTE5543 | Raddrizzatore controllato al silicio (SCR). Picco ripetitiva off-stato e tensione inversa Vdrm, Vrrm = 200V. RMS sullo stato di 35A di corrente. | NTE Electronics |
| 2012 | NTE5544 | Raddrizzatore controllato al silicio (SCR). Picco ripetitiva off-stato e tensione inversa Vdrm, Vrrm = 300V. RMS sullo stato di 35A di corrente. | NTE Electronics |
| 2013 | NTE5545 | Raddrizzatore controllato al silicio (SCR). Picco ripetitiva off-stato e tensione inversa Vdrm, Vrrm = 400V. RMS sullo stato di 35A di corrente. | NTE Electronics |
| 2014 | NTE5546 | Raddrizzatore controllato al silicio (SCR). Picco ripetitiva off-stato e tensione inversa Vdrm, Vrrm = 500V. RMS sullo stato di 35A di corrente. | NTE Electronics |
| 2015 | NTE5547 | Raddrizzatore controllato al silicio (SCR). Picco ripetitiva off-stato e tensione inversa Vdrm, Vrrm = 600V. RMS sullo stato di 35A di corrente. | NTE Electronics |
| 2016 | NTE5548 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 35 Ampère | NTE Electronics |
| 2017 | NTE555 | Rivelatore Del Diodo UHF/vhf Del Perno Del Silicone | NTE Electronics |
| 2018 | NTE5550 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | NTE Electronics |
| 2019 | NTE5552 | Raddrizzatore controllato al silicio. Picco tensione di blocco inversa Vrrm = 200V. 25A corrente diretta. | NTE Electronics |
| 2020 | NTE5554 | Raddrizzatore controllato al silicio. Picco tensione di blocco inversa Vrrm = 400V. 25A corrente diretta. | NTE Electronics |
| 2021 | NTE5556 | Raddrizzatore controllato al silicio. Picco tensione di blocco inversa Vrrm = 600V. 25A corrente diretta. | NTE Electronics |
| 2022 | NTE5558 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | NTE Electronics |
| 2023 | NTE555A | Interruttore Della Fascia di VHF Del Diodo Del Perno Del Silicone | NTE Electronics |
| 2024 | NTE5562 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone (SCR¯s) | NTE Electronics |
| 2025 | NTE5564 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone (SCR¯s) | NTE Electronics |
| 2026 | NTE5566 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone (SCR¯s) | NTE Electronics |
| 2027 | NTE5567 | Raddrizzatore controllato del silicone (SCR) per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2028 | NTE5568 | Raddrizzatore controllato del silicone (SCR) per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2029 | NTE5569 | Raddrizzatore controllato del silicone (SCR) per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2030 | NTE5570 | Raddrizzatore controllato del silicone per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2031 | NTE5571 | Raddrizzatore controllato del silicone (SCR) per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2032 | NTE5572 | Raddrizzatore controllato del silicone per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2033 | NTE5574 | Raddrizzatore controllato del silicone per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2034 | NTE5575 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 125 Ampère | NTE Electronics |
| 2035 | NTE5576 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | NTE Electronics |
| 2036 | NTE5577 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 125 Ampère | NTE Electronics |
| 2037 | NTE5578 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone | NTE Electronics |
| 2038 | NTE5579 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 125 Ampère | NTE Electronics |
| 2039 | NTE558 | Raddrizzatore al silicio Per tutti gli usi | NTE Electronics |
| 2040 | NTE5580 | Raddrizzatore controllato del silicone per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2041 | NTE5582 | Controllato al silicio rectiifier per applicazioni di controllo di fase. Picco ripetitiva off-stato e tensione inversa Vdrm, Vrrm = 600V. Max RMS in stato attuale E (rms) = 235A. | NTE Electronics |
| 2042 | NTE5584 | Controllato al silicio rectiifier per applicazioni di controllo di fase. Picco ripetitiva off-stato e tensione inversa Vdrm, Vrrm = 1200V. Max RMS in stato attuale E (rms) = 235A. | NTE Electronics |
| 2043 | NTE5585 | Raddrizzatore controllato del silicone per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2044 | NTE5586 | Raddrizzatore controllato del silicone per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2045 | NTE5587 | Raddrizzatore controllato del silicone per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2046 | NTE5588 | Raddrizzatore controllato del silicone per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2047 | NTE5589 | Raddrizzatore controllato del silicone per le applicazioni di controllo di fase | NTE Electronics |
| 2048 | NTE5590 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 470 Ampère | NTE Electronics |
| 2049 | NTE5591 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 470 Ampère | NTE Electronics |
| 2050 | NTE5592 | Raddrizzatore Controllato Del Silicone (SCR) 470 Ampère | NTE Electronics |
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