Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
51 | SD1137CHP | 60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
52 | SD1200CHP | 450 V, 700 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
53 | SD1200DD | 450 V, 700 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
54 | SD1201BD | 400 V, 500 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
55 | SD1201CHP | 400 V, 500 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
56 | SD1201DD | 400 V, 500 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
57 | SD1202BD | 200 V, 250 Ohm, a canale N enhancement-mode ad alta tensione D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
58 | SD1202CHP | 200 V, 250 Ohm, a canale N enhancement-mode ad alta tensione D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
59 | SD1500BD | 600 V, 60 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
60 | SD1500CHP | 600 V, 60 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
61 | SD1500CY | 600 V, 60 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
62 | SD1501BD | 550 V, 60 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
63 | SD1501CHP | 550 V, 60 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
64 | SD1501CY | 550 V, 60 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
65 | SD200CHP | 30 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
66 | SD200DC | 30 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
67 | SD200R | 30 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
68 | SD201CHP | 30 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
69 | SD201DC | 30 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
70 | SD201R | 30 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
71 | SD202CHP | 25 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
72 | SD202DC | 25 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
73 | SD202R | 25 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
74 | SD203CHP | 25 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
75 | SD203DC | 25 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
76 | SD203R | 25 V, a canale N enhancement vie laterali D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
77 | SD204CHP | 25 V, 6,0 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
78 | SD204HD | 25 V, 6,0 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
79 | SD205CHP | 25 V, 6,0 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
80 | SD205HD | 25 V, 6,0 ohm, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
81 | SD2100DE | 20 V, 150 om, a canale N enhancement-way D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
82 | SD2100R | 20 V, 150 om, a canale N enhancement-way D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
83 | SD2107AD | -100 V, 5 ohm, valorizzazione modalitą a canale P D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
84 | SD2107BD | -100 V, 5 ohm, valorizzazione modalitą a canale P D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
85 | SD2107CHP | -100 V, 5 ohm, valorizzazione modalitą a canale P D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
86 | SD2107DD | -100 V, 5 ohm, valorizzazione modalitą a canale P D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
87 | SD2107HD | -100 V, 5 ohm, valorizzazione modalitą a canale P D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
88 | SD210CHP | +30 V, a canale N enhancement modalitą D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
89 | SD210DE | +30 V, a canale N enhancement modalitą D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
90 | SD210R | +30 V, a canale N enhancement modalitą D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
91 | SD211ACHP | 10 V, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
92 | SD211ADE | 10 V, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
93 | SD211AR | 10 V, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
94 | SD211CHP | +30 V, a canale N enhancement modalitą D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
95 | SD211DE | +30 V, a canale N enhancement modalitą D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
96 | SD211R | +30 V, a canale N enhancement modalitą D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
97 | SD212CHP | +/- 5 V, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
98 | SD212DE | +/- 5 V, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
99 | SD212R | +/- 5 V, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
100 | SD213CHP | +/- 5 V, valorizzazione modalitą a canale N D-MOS interruttore FET | Topaz Semiconductor |
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