| 278 | EVBD4400 | DEMI De Comité d'évaluation de CONDUCTEUR de PONT | IXYS Corporation |
| 279 | EVDD409 | Comités d'évaluation d'IC De Conducteur De Porte | IXYS Corporation |
| 280 | EVDI409 | Comités d'évaluation d'IC De Conducteur De Porte | IXYS Corporation |
| 281 | EVDN409 | Comités d'évaluation d'IC De Conducteur De Porte | IXYS Corporation |
| 282 | FII30-12D | Découpeur rapide d'IGBT dans ISOPLUS i4-PACTM | IXYS Corporation |
| 283 | FMD80-0045PS | Découpeur avec la diode de transistor MOSFET et de Schottky de puissance de fossé | IXYS Corporation |
| 284 | FMM200-0075P | Transistor MOSFET De Puissance De Fossé | IXYS Corporation |
| 285 | FMM200-0075P | Transistor MOSFET De Puissance De Fossé | IXYS Corporation |
| 286 | HTZ110A | Module À haute tension De Redresseur De Diode | IXYS Corporation |
| 287 | HTZ110A16K | Module À haute tension De Redresseur De Diode | IXYS Corporation |
| 288 | HTZ110A19K | Module À haute tension De Redresseur De Diode | IXYS Corporation |
| 289 | HTZ110A22K | Module À haute tension De Redresseur De Diode | IXYS Corporation |
| 290 | HTZ110A25K | Module À haute tension De Redresseur De Diode | IXYS Corporation |
| 291 | IRFC150 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| 292 | IRFC150 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| 293 | IRFC350 | Série Élevée De Rugosité De Mode De Perfectionnement De N-Canal | IXYS Corporation |
| 294 | IRFC350 | Série Élevée De Rugosité De Mode De Perfectionnement De N-Canal | IXYS Corporation |
| 295 | IRFC450 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| 296 | IRFC450 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| 297 | IRFP151 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| 298 | IRFP151 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| 299 | IRFP151 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| 300 | IRFP152 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| | | |
