| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1951 | NTE5470 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 5 Ampères | NTE Electronics |
| 1952 | NTE5471 | redresseur commandé au silicium (SCR). Inverse répétitive de crête et la tension inverse blocage Vrrm, VDRM = 100V. Terme Itrms RMS actuels = 8A. | NTE Electronics |
| 1953 | NTE5472 | redresseur commandé au silicium (SCR). Inverse répétitive de crête et la tension inverse blocage Vrrm, VDRM = 200V. Terme Itrms RMS actuels = 8A. | NTE Electronics |
| 1954 | NTE5473 | redresseur commandé au silicium (SCR). Inverse répétitive de crête et la tension inverse blocage Vrrm, VDRM = 300V. Terme Itrms RMS actuels = 8A. | NTE Electronics |
| 1955 | NTE5474 | redresseur commandé au silicium (SCR). Inverse répétitive de crête et la tension inverse blocage Vrrm, VDRM = 400V. Terme Itrms RMS actuels = 8A. | NTE Electronics |
| 1956 | NTE5475 | redresseur commandé au silicium (SCR). Inverse répétitive de crête et la tension inverse blocage Vrrm, VDRM = 500V. Terme Itrms RMS actuels = 8A. | NTE Electronics |
| 1957 | NTE5476 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 5 Ampères | NTE Electronics |
| 1958 | NTE5480 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 8 Ampères | NTE Electronics |
| 1959 | NTE5481 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 8 Ampères | NTE Electronics |
| 1960 | NTE5482 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 8 Ampères | NTE Electronics |
| 1961 | NTE5483 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 8 Ampères | NTE Electronics |
| 1962 | NTE5484 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 8 Ampères | NTE Electronics |
| 1963 | NTE5485 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 8 Ampères | NTE Electronics |
| 1964 | NTE5486 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 8 Ampères | NTE Electronics |
| 1965 | NTE5487 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 8 Ampères | NTE Electronics |
| 1966 | NTE5491 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 10 Ampères | NTE Electronics |
| 1967 | NTE5492 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) | NTE Electronics |
| 1968 | NTE5494 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) | NTE Electronics |
| 1969 | NTE5496 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 10 Ampères | NTE Electronics |
| 1970 | NTE5498 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 12 Ampères | NTE Electronics |
| 1971 | NTE5499 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 12 Ampères | NTE Electronics |
| 1972 | NTE5500 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 16 Ampères | NTE Electronics |
| 1973 | NTE5501 | redresseur commandé au silicium (SCR), 16 Amp. Pic de tension avant le blocage, le pic de tension de blocage inverse VDRM, Vrsm (rep) = 50V. Forward RMS actuels It = 25A. | NTE Electronics |
| 1974 | NTE5502 | redresseur commandé au silicium (SCR), 16 Amp. Pic de tension avant le blocage, le pic de tension de blocage inverse VDRM, Vrsm (rep) = 100V. Forward RMS actuels It = 25A. | NTE Electronics |
| 1975 | NTE5503 | redresseur commandé au silicium (SCR), 16 Amp. Pic de tension avant le blocage, le pic de tension de blocage inverse VDRM, Vrsm (rep) = 150V. Forward RMS actuels It = 25A. | NTE Electronics |
| 1976 | NTE5504 | redresseur commandé au silicium (SCR), 16 Amp. Pic de tension avant le blocage, le pic de tension de blocage inverse VDRM, Vrsm (rep) = 200V. Forward RMS actuels It = 25A. | NTE Electronics |
| 1977 | NTE5505 | redresseur commandé au silicium (SCR), 16 Amp. Pic de tension avant le blocage, le pic de tension de blocage inverse VDRM, Vrsm (rep) = 250V. Forward RMS actuels It = 25A. | NTE Electronics |
| 1978 | NTE5506 | redresseur commandé au silicium (SCR), 16 Amp. Pic de tension avant le blocage, le pic de tension de blocage inverse VDRM, Vrsm (rep) = 300V. Forward RMS actuels It = 25A. | NTE Electronics |
| 1979 | NTE5507 | redresseur commandé au silicium (SCR), 16 Amp. Pic de tension avant le blocage, le pic de tension de blocage inverse VDRM, Vrsm (rep) = 400V. Forward RMS actuels It = 25A. | NTE Electronics |
| 1980 | NTE5508 | redresseur commandé au silicium (SCR), 16 Amp. Pic de tension avant le blocage, le pic de tension de blocage inverse VDRM, Vrsm (rep) = 500V. Forward RMS actuels It = 25A. | NTE Electronics |
| 1981 | NTE5509 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 16 Ampères | NTE Electronics |
| 1982 | NTE5511 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 5 Ampères | NTE Electronics |
| 1983 | NTE5512 | redresseur commandé au silicium (SCR), 5 Amp. Tension inverse de crête (répétitif) Vrm (rep) = 400V. Terme Ifrms RMS actuels = 5A. | NTE Electronics |
| 1984 | NTE5513 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 5 Ampères | NTE Electronics |
| 1985 | NTE5514 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) | NTE Electronics |
| 1986 | NTE5515 | redresseur commandé au silicium (SCR). Tension répétitive pic inverse Vrrm = 400V. RMS sur l'état actuel Il (RMS) = 20A. | NTE Electronics |
| 1987 | NTE5516 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) | NTE Electronics |
| 1988 | NTE5517 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) | NTE Electronics |
| 1989 | NTE5518 | redresseur commandé au silicium (SCR). Tension répétitive pic inverse Vrrm = 400V. RMS sur l'état actuel Il (RMS) = 35A. | NTE Electronics |
| 1990 | NTE5519 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) | NTE Electronics |
| 1991 | NTE552 | Usage universel De Redresseur De Silicium, Rétablissement Rapide | NTE Electronics |
| 1992 | NTE5520 | Le Silicium A commandé Le Redresseur (Thyristor), 2Ä | NTE Electronics |
| 1993 | NTE5521 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Crête de choc avant et arrière tension VDRM, Vrrm = 50V. RMS actuels forard TI (RMS) = 25A. | NTE Electronics |
| 1994 | NTE5522 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Répétitive crête et la tension inverse VDRM, Vrrm = 100V. RMS actuels forard TI (RMS) = 25A. | NTE Electronics |
| 1995 | NTE5523 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Répétitive crête et la tension inverse VDRM, Vrrm = 150V. RMS actuels forard TI (RMS) = 25A. | NTE Electronics |
| 1996 | NTE5524 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Répétitive crête et la tension inverse VDRM, Vrrm = 200V. RMS actuels forard TI (RMS) = 35A. | NTE Electronics |
| 1997 | NTE5525 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Répétitive crête et la tension inverse VDRM, Vrrm = 250V. RMS actuels forard TI (RMS) = 25A. | NTE Electronics |
| 1998 | NTE5526 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Répétitive crête et la tension inverse VDRM, Vrrm = 300V. RMS actuels forard TI (RMS) = 25A. | NTE Electronics |
| 1999 | NTE5527 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Répétitive crête et la tension inverse VDRM, Vrrm = 400V. RMS actuels forard TI (RMS) = 25A. | NTE Electronics |
| 2000 | NTE5528 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Répétitive crête et la tension inverse VDRM, Vrrm = 500V. RMS actuels forard TI (RMS) = 25A. | NTE Electronics |
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