| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 10501 | PMBTA13 | Transistors NPN Darlington | NXP Semiconductors |
| 10502 | PMBTA14 | Transistors NPN Darlington | NXP Semiconductors |
| 10503 | PMBTA42 | 300 V, 100 mA transistor NPN haute tension | NXP Semiconductors |
| 10504 | PMBTA42DS | NPN / NPN haute tension transistors doubles | NXP Semiconductors |
| 10505 | PMBTA44 | 400 V, 0,3 A NPN haute tension faible VCEsat (BISS) transistor | NXP Semiconductors |
| 10506 | PMBTA45 | 500 V, 150 mA NPN haute tension faible V_CEsat (BISS) transistor | NXP Semiconductors |
| 10507 | PMBTA56 | Transistor PNP à usage général | NXP Semiconductors |
| 10508 | PMBTA64 | Transistor PNP Darlington | NXP Semiconductors |
| 10509 | PMBTA92 | Transistor à haute tension PNP | NXP Semiconductors |
| 10510 | PMC85XP | 30 V-MOSFET canal P à transistor NPN pré-polarisée | NXP Semiconductors |
| 10511 | PMCPB5530X | 20 V, Trench MOSFET complémentaire | NXP Semiconductors |
| 10512 | PMCXB900UE | 20 V, complémentaire N / canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10513 | PMD2001D | driver MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10514 | PMD3001D | driver MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10515 | PMD9001D | driver MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10516 | PMD9002D | driver MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10517 | PMD9003D | driver MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10518 | PMD9010D | driver MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10519 | PMD9050D | driver MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10520 | PMDPB30XN | 20 V, double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 10521 | PMDPB42UN | 20 V, double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 10522 | PMDPB55XP | 20 V, double-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10523 | PMDPB58UPE | 20 V à double canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10524 | PMDPB65UP | 20 V, 3.5 A-canal P Trench MOSFET double | NXP Semiconductors |
| 10525 | PMDPB70XP | 30 V, double-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10526 | PMDPB70XPE | 20 V à double canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10527 | PMDPB760EN | 100 V, double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 10528 | PMDPB80XP | 20 V, double-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10529 | PMDPB85UPE | 20 V à double canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10530 | PMDT290UCE | 20/20 V, 800/550 mA N / canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10531 | PMDT290UNE | 20 V, 800 mA double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 10532 | PMDT670UPE | 20 V, 550 mA à double canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10533 | PMDXB600UNE | 20 V, double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 10534 | PMDXB950UPE | 20 V, double-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 10535 | PMEG1020EA | 2 Un ultra faible barrière Schottky redresseur VF MEGA | NXP Semiconductors |
| 10536 | PMEG1020EH | 10 V, 2 ultra VF redresseurs A MEGA barrière de Schottky faible | NXP Semiconductors |
| 10537 | PMEG1020EJ | 10 V, 2 ultra VF redresseurs A MEGA barrière de Schottky faible | NXP Semiconductors |
| 10538 | PMEG1020EV | Ultra bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10539 | PMEG1030EH | 10 V, 3 ultra v_F MEGA redresseurs A à barrière de Schottky faible | NXP Semiconductors |
| 10540 | PMEG1030EJ | 10 V, 3 ultra v_F MEGA redresseurs A à barrière de Schottky faible | NXP Semiconductors |
| 10541 | PMEG2002AESF | 20 V, 0,2 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10542 | PMEG2002ESF | 20 V, 0,2 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10543 | PMEG2005AEA | Très faible VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10544 | PMEG2005AEL | 0.5 Un très faible v_F MEGA barrière de Schottky redresseur sans plomb boîtier ultra petit SOD882 | NXP Semiconductors |
| 10545 | PMEG2005AELD | 20 V, 0,5 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10546 | PMEG2005AESF | 20 V, 0,5 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10547 | PMEG2005AEV | Très faible VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10548 | PMEG2005BELD | 20 V, 0,5 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10549 | PMEG2005CT | 500 mA bas v_F double MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10550 | PMEG2005EB | Diode faible barrière Schottky MEGA VF | NXP Semiconductors |
| 10551 | PMEG2005EH | 0,5 A de très faibles VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10552 | PMEG2005EJ | 0,5 A de très faibles VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10553 | PMEG2005EL | 20 V, 0,5 A v_F très faible MEGA barrière de Schottky redresseur sans plomb boîtier ultra petit SOD882 | NXP Semiconductors |
| 10554 | PMEG2005ELD | 20 V, 0,5 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10555 | PMEG2005EPK | 20 V, 0,5 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10556 | PMEG2005ESF | 20 V, 0,5 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10557 | PMEG2005ET | 0,5 A de très faibles VF MEGA redresseurs à barrière de Schottky en boîtier SOT23 | NXP Semiconductors |
| 10558 | PMEG2010AEB | 20 V, 1 A très faible VF MEGA barrière de Schottky redresseur SOD523 paquet | NXP Semiconductors |
| 10559 | PMEG2010AEH | Redresseurs de barrière 1 Une très faibles VF MEGA Schottky | NXP Semiconductors |
| 10560 | PMEG2010AEJ | 20 V, 1 A très faible v_F MEGA barrière de Schottky redresseur dans le paquet SOD323F | NXP Semiconductors |
| 10561 | PMEG2010AET | Redresseurs de barrière 1 Une très faibles VF MEGA Schottky | NXP Semiconductors |
| 10562 | PMEG2010BEA | 1 Une très faible barrière Schottky redresseur VF MEGA dans la petite SOT666 ultra et en très petite SOD323 (SC-76) paquet | NXP Semiconductors |
| 10563 | PMEG2010BELD | 20 V, 1 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10564 | PMEG2010BER | 1 Une barrière redresseur bas Vf MEGA Schottky | NXP Semiconductors |
| 10565 | PMEG2010BEV | 1 Une très faible barrière Schottky redresseur VF MEGA dans la petite SOT666 ultra et en très petite SOD323 (SC-76) paquet | NXP Semiconductors |
| 10566 | PMEG2010EA | Low VF (MEGA) diode à barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10567 | PMEG2010EH | Redresseurs de barrière 1 Une très faibles VF MEGA Schottky | NXP Semiconductors |
| 10568 | PMEG2010EJ | Redresseurs de barrière 1 Une très faibles VF MEGA Schottky | NXP Semiconductors |
| 10569 | PMEG2010EPA | 1 Un faible v_F MEGA Schottky redresseur de barrière | NXP Semiconductors |
| 10570 | PMEG2010EPK | 20 V, 1 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10571 | PMEG2010ER | 1 Une barrière redresseur bas VF MEGA Schottky | NXP Semiconductors |
| 10572 | PMEG2010ET | Redresseurs de barrière 1 Une très faibles VF MEGA Schottky | NXP Semiconductors |
| 10573 | PMEG2010EV | Diode faible barrière Schottky MEGA VF | NXP Semiconductors |
| 10574 | PMEG2015EA | Low VF (MEGA) diode à barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10575 | PMEG2015EH | 20 V, 1.5 A très faible MEGA v_F redresseurs à barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10576 | PMEG2015EJ | 20 V, 1.5 A très faible MEGA v_F redresseurs à barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10577 | PMEG2015EPK | 20 V, 1.5 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10578 | PMEG2015EV | Diode faible barrière Schottky MEGA VF | NXP Semiconductors |
| 10579 | PMEG2020AEA | 20 V, 2 A très faible MEGA Schottky redresseur de barrière VF dans SOD323 (SC-76) paquet | NXP Semiconductors |
| 10580 | PMEG2020CPA | 2 Un faible v_F double MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10581 | PMEG2020EH | 20 V, 2 A très faible v_F redresseurs de barrière Schottky MEGA | NXP Semiconductors |
| 10582 | PMEG2020EJ | 20 V, 2 A très faible v_F redresseurs de barrière Schottky MEGA | NXP Semiconductors |
| 10583 | PMEG2020EPA | 2 Un faible v_F MEGA Schottky redresseur de barrière | NXP Semiconductors |
| 10584 | PMEG2020EPK | 20 V, 2 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10585 | PMEG3002AEB | Diode faible barrière Schottky MEGA VF | NXP Semiconductors |
| 10586 | PMEG3002AEL | 30 V, 0,2 A v_F très faible MEGA barrière de Schottky redresseur sans plomb boîtier ultra petit SOD882 | NXP Semiconductors |
| 10587 | PMEG3002AELD | 30 V, 0,2 A bas MEGA v_F barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10588 | PMEG3002AESF | 30 V, 0,2 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10589 | PMEG3002EJ | 200 mA bas Vf MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10590 | PMEG3002ESF | 30 V, 0,2 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10591 | PMEG3002TV | 0.2 Un très faible v_F MEGA barrière de Schottky double redresseur dans le package de SOT666 | NXP Semiconductors |
| 10592 | PMEG3005AEA | Très faible VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10593 | PMEG3005AESF | 30 V, 0,5 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10594 | PMEG3005AEV | Très faible VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10595 | PMEG3005CT | 500 mA bas v_F double MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 10596 | PMEG3005EB | 0,5 A de très faibles VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10597 | PMEG3005EH | 0,5 A de très faibles VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10598 | PMEG3005EJ | 0,5 A de très faibles VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10599 | PMEG3005EL | 0,5 A de très faibles VF redresseurs MEGA barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 10600 | PMEG3005ELD | 0.5 Un faible v_F MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
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