| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1196961 | TC5565AFL-12 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196962 | TC5565AFL-12 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196963 | TC5565AFL-15 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196964 | TC5565AFL-15 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196965 | TC5565APL | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196966 | TC5565APL | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196967 | TC5565APL-10 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196968 | TC5565APL-10 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196969 | TC5565APL-12 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196970 | TC5565APL-12 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196971 | TC5565APL-15 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196972 | TC5565APL-15 | memória de acesso aleatório de estática de 65.536 bocados organizada como 8.192 palavras por 8 bocados usando a tecnologia do CMOS | TOSHIBA |
| 1196973 | TC558128AJ | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196974 | TC558128AJ | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196975 | TC558128AJ-15 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196976 | TC558128AJ-15 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196977 | TC558128AJ-20 | 131.072 palavras por 8 bit CMOS RAM estática, 20ns tempo de acesso | TOSHIBA |
| 1196978 | TC558128BFT-12 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196979 | TC558128BFT-12 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196980 | TC558128BFT-15 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196981 | TC558128BFT-15 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196982 | TC558128BJ | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196983 | TC558128BJ | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196984 | TC558128BJ-12 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196985 | TC558128BJ-12 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196986 | TC558128BJ-15 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196987 | TC558128BJ-15 | 131.072-131,072-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196988 | TC55NEM208A | SRAM - Poder Baixo | TOSHIBA |
| 1196989 | TC55NEM208A-V | SRAM - Poder Baixo | TOSHIBA |
| 1196990 | TC55NEM208AFPN | PORTA DE SILICONE TENTATIVE CMOS DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL DE TOSHIBA | TOSHIBA |
| 1196991 | TC55NEM208AFPN | PORTA DE SILICONE TENTATIVE CMOS DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL DE TOSHIBA | TOSHIBA |
| 1196992 | TC55NEM208AFPN55 | 524.288-524,288-WORD PELA RAM DE 8-BIT DE ESTÁTICA | TOSHIBA |
| 1196993 | TC55NEM208AFPN70 | 524.288-524,288-WORD PELA RAM DE 8-BIT DE ESTÁTICA | TOSHIBA |
| 1196994 | TC55NEM208AFTN | PORTA DE SILICONE TENTATIVE CMOS DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL DE TOSHIBA | TOSHIBA |
| 1196995 | TC55NEM208AFTN | PORTA DE SILICONE TENTATIVE CMOS DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL DE TOSHIBA | TOSHIBA |
| 1196996 | TC55NEM208AFTN55 | 524.288-524,288-WORD PELA RAM DE 8-BIT DE ESTÁTICA | TOSHIBA |
| 1196997 | TC55NEM208AFTN70 | 524.288-524,288-WORD PELA RAM DE 8-BIT DE ESTÁTICA | TOSHIBA |
| 1196998 | TC55NEM216AFTN | SRAM - Poder Baixo | TOSHIBA |
| 1196999 | TC55NEM216AFTN55 | 262.144-262,144-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 16-BIT CHEIO CMOS | TOSHIBA |
| 1197000 | TC55NEM216AFTN70 | 262.144-262,144-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 16-BIT CHEIO CMOS | TOSHIBA |
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