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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
259481BF982O SILICONE N-CHANNEL DUAL MOS-FET DA PORTAUnknow
259482BF982O SILICONE N-CHANNEL DUAL MOS-FET DA PORTAUnknow
259483BF982V (ds): 20V; I (d): 40 mA; 225MW; silício N dual-channel gate MOS-FETPhilips
259484BF987Triode do Mosfet Da N-Canaleta Do SiliconeInfineon
259485BF987TRIODE do MOSFET da CANALETA do SILICONE N (para estágios de alta freqüência até 300 megahertz, preferivelmente na potencialidade elevada da sobrecarga das aplicações de FM)Siemens
259486BF988Tetrode Duplo De MOS‐Fieldeffect Da Porta Da N-Canaleta, Modalidade De DepletionVishay
259487BF989MOS-FET dual-gate da N-canaletaPhilips
259488BF990AMOS-FET dual-gate da N-canaletaPhilips
259489BF991MOS-FET dual-gate da N-canaletaPhilips
259490BF991N-MOSFET canal dual-gateNXP Semiconductors
259491BF992Mos-FET duplo da porta da N-canaleta do siliconePhilips
259492BF992N-MOSFET canal dual-gateNXP Semiconductors
259493BF994MOS-FET dual-gate da N-canaletaPhilips
259494BF994Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (para aplicações do VHF especial para estágios da entrada e do misturador com uma escala ajustando larga por exemplo em tuners de CATV)Siemens
259495BF994Modalidade De Depletion Dupla Do Tetrode/ De MOS-Fieldeffect Da Porta Da N-CanaletaVishay
259496BF994SMOS-FET dual-gate da N-canaletaPhilips
259497BF994STetrode Duplo De MOS‐Fieldeffect Da Porta Da N-Canaleta, Modalidade De DepletionVishay
259498BF994STetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (para aplicações do VHF, especial para a entrada e os estágios do misturador com uma escala ajustando larga, por exemplo em tuners de CATV)Siemens
259499BF994SN-MOSFET canal dual-gateNXP Semiconductors



259500BF994SAModalidade De Depletion Dupla Do Tetrode/ De MOS-Fieldeffect Da Porta Da N-CanaletaVishay
259501BF994SBModalidade De Depletion Dupla Do Tetrode/ De MOS-Fieldeffect Da Porta Da N-CanaletaVishay
259502BF995Tetrode Duplo De MOS‐Fieldeffect Da Porta Da N-Canaleta, Modalidade De DepletionVishay
259503BF995Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (para estágios da entrada e do misturador em FM e tuners da tevê do VHF)Siemens
259504BF995AModalidade De Depletion Dupla Do Tetrode/ De MOS-Fieldeffect Da Porta Da N-CanaletaVishay
259505BF995BModalidade De Depletion Dupla Do Tetrode/ De MOS-Fieldeffect Da Porta Da N-CanaletaVishay
259506BF996SMOS-FET dual-gate da N-canaletaPhilips
259507BF996STetrode Duplo De MOS‐Fieldeffect Da Porta Da N-Canaleta, Modalidade De DepletionVishay
259508BF996STetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (para estágios da entrada na figura baixa do ruído da transcondutância elevada DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA dos tuners da tevê)Siemens
259509BF996SN-MOSFET canal dual-gateNXP Semiconductors
259510BF996SAN.Channel Dual Modalidade De Depletion Do Tetrode/ De MOS-Fieldeffect Da PortaVishay
259511BF996SBN.Channel Dual Modalidade De Depletion Do Tetrode/ De MOS-Fieldeffect Da PortaVishay
259512BF997Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (rede integrada da supressão de encontro às oscilações spurious do VHF)Siemens
259513BF997MOS-FET dual-gate da N-canaletaPhilips
259514BF998MOS-FETs dual-gate da N-canaleta do siliconePhilips
259515BF998Tetrode Duplo De MOS‐Fieldeffect Da Porta Da N-Canaleta, Modalidade De DepletionVishay
259516BF998RF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dBInfineon
259517BF998Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (o transistor da Curto-canaleta com fator de qualidade elevado de S/C para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz)Siemens
259518BF998N-MOSFET canal dual-gateNXP Semiconductors
259519BF998AModalidade De Depletion Dupla Do Tetrode/ De MOS-Fieldeffect Da Porta Da N-CanaletaVishay
259520BF998BModalidade De Depletion Dupla Do Tetrode/ De MOS-Fieldeffect Da Porta Da N-CanaletaVishay
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