| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 30481 | 1N6381 | Supressor Transiente Da Tensão | Microsemi |
| 30482 | 1N6381 | Zener 52.9V 1500W | ON Semiconductor |
| 30483 | 1N6381 | 45.00V; 19A; 1500W de potência de pico de pulso; vidro junção passivado supressor de tensão transiente | MDE Semiconductor |
| 30484 | 1N6382 | Supressor Transiente Da Tensão | Microsemi |
| 30485 | 1N6382 | SUPRESSOR TRANSIENTE DA TENSÃO DE TRANSZORB | General Semiconductor |
| 30486 | 1N6382 | 1500 Watts de potência máxima Mosorb? Zener Supressores de voltagem | ON Semiconductor |
| 30487 | 1N6382 | 8.00V; 100A; 1500W de potência de pico de pulso; vidro junção passivado supressor de tensão transiente | MDE Semiconductor |
| 30488 | 1N6382-D | Supressores Transientes Peak Da Tensão De Mosorb TM Zener De um Poder De 1500 Watts | ON Semiconductor |
| 30489 | 1N6383 | Supressor Transiente Da Tensão | Microsemi |
| 30490 | 1N6383 | SUPRESSOR TRANSIENTE DA TENSÃO DE TRANSZORB | General Semiconductor |
| 30491 | 1N6383 | 10.00V; 90A; 1500W de potência de pico de pulso; vidro junção passivado supressor de tensão transiente | MDE Semiconductor |
| 30492 | 1N6384 | Supressor Transiente Da Tensão | Microsemi |
| 30493 | 1N6384 | SUPRESSOR TRANSIENTE DA TENSÃO DE TRANSZORB | General Semiconductor |
| 30494 | 1N6384 | 12.00V; 70A; 1500W de potência de pico de pulso; vidro junção passivado supressor de tensão transiente | MDE Semiconductor |
| 30495 | 1N6385 | Supressor Transiente Da Tensão | Microsemi |
| 30496 | 1N6385 | SUPRESSOR TRANSIENTE DA TENSÃO DE TRANSZORB | General Semiconductor |
| 30497 | 1N6385 | 15.00V; 60A; 1500W de potência de pico de pulso; vidro junção passivado supressor de tensão transiente | MDE Semiconductor |
| 30498 | 1N6386 | Supressor Transiente Da Tensão | Microsemi |
| 30499 | 1N6386 | 18.00V; 50A; 1500W de potência de pico de pulso; vidro junção passivado supressor de tensão transiente | MDE Semiconductor |
| 30500 | 1N6387 | Supressor Transiente Da Tensão | Microsemi |
| 30501 | 1N6387 | 22.00V; 40A; 1500W de potência de pico de pulso; vidro junção passivado supressor de tensão transiente | MDE Semiconductor |
| 30502 | 1N6388 | Supressor Transiente Da Tensão | Microsemi |
| 30503 | 1N6388 | 36.00V; 23A; 1500W de potência de pico de pulso; vidro junção passivado supressor de tensão transiente | MDE Semiconductor |
| 30504 | 1N6389 | Supressor Transiente Da Tensão | Microsemi |
| 30505 | 1N6389 | 45.00V; 19A; 1500W de potência de pico de pulso; vidro junção passivado supressor de tensão transiente | MDE Semiconductor |
| 30506 | 1N6391 | Retificador De Schottky | Microsemi |
| 30507 | 1N6391 | Retificador De Schottky | Microsemi |
| 30508 | 1N6392 | Retificador De Schottky | Microsemi |
| 30509 | 1N6392 | Retificador De Schottky | Microsemi |
| 30510 | 1N6392 | diodo discreto de 45V 60A Schottky em um pacote de DO-203AB (DO-5) | International Rectifier |
| 30511 | 1N643 | Retificador Rápido (100-500ns) | Microsemi |
| 30512 | 1N645 | Retificador padrão (trr mais do que 500ns) | Microsemi |
| 30513 | 1N645 | Finalidade Geral Do Diodo Leaded Do Silicone | Central Semiconductor |
| 30514 | 1N645-1 | Retificador padrão (trr mais do que 500ns) | Microsemi |
| 30515 | 1N645-1 | Retificador padrão (trr mais do que 500ns) | Microsemi |
| 30516 | 1N645-1 | RETIFICADOR DE SILICONE | Compensated Devices Incorporated |
| 30517 | 1N6459 | Retificador De Schottky | Microsemi |
| 30518 | 1N645UR-1 | Retificador padrão (trr mais do que 500ns) | Microsemi |
| 30519 | 1N645UR-1 | RETIFICADOR DE SILICONE | Compensated Devices Incorporated |
| 30520 | 1N646 | Retificador padrão (trr mais do que 500ns) | Microsemi |
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