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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
314321CLE230W880nm IRED, janela lisa TO-46Clairex Technologies
314322CLE231880nm IRED, lata do metal TO-46Clairex Technologies
314323CLE231W880nm IRED, janela lisa TO-46Clairex Technologies
314324CLE232880nm IRED, lata do metal TO-46Clairex Technologies
314325CLE232W880nm IRED, janela lisa TO-46Clairex Technologies
314326CLE233880nm IRED, lata do metal TO-46Clairex Technologies
314327CLE234E2x2 880nm IRED, TO-46 com abóbada epoxyClairex Technologies
314328CLE235880nm IRED, lata do metal TO-46Clairex Technologies
314329CLE300F850nm IRED, montagem de superfície, feixe largoClairex Technologies
314330CLE310F850nm IRED, montagem de superfície, feixe estreitoClairex Technologies
314331CLE330E850nm IRED, TO-46 com abóbada epoxyClairex Technologies
314332CLE330W850nm IRED, janela lisa TO-46Clairex Technologies
314333CLE331fonte do ponto de 850nm, lata do metal TO-46Clairex Technologies
314334CLE331Efonte do ponto de 850nm, TO-46 com abóbada epoxyClairex Technologies
314335CLE331P850nm IRED, fonte do ponto, TO-46 com a lente collimating plásticaClairex Technologies
314336CLE335850nm IRED, lata do metal TO-46Clairex Technologies
314337CLE335P850nm IRED, TO-46 com a lente collimating plásticaClairex Technologies
314338CLE400FIRED/LED (escolha dos wavelengths), montagem de superfície, feixe largoClairex Technologies
314339CLE435diodo emissor de luz de 660nm, lata do metal TO-46Clairex Technologies



314340CLED155Diodo Emitindo-se Infravermelho Do Arsenieto De alumínio Do GalliumClairex Technologies
314341CLED155FDiodo Emitindo-se Infravermelho Do Arsenieto De alumínio Do GalliumClairex Technologies
314342CLED4003 V, 50 mA, arsenieto de gálio infravermelho emitting diodeClairex Technologies
314343CLED4053 V, 60 mA, arsenieto de gálio-alumínio diodo emissor de infravermelhoClairex Technologies
314344CLF1G0035-100Broadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314345CLF1G0035-100PBroadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314346CLF1G0035-50Broadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314347CLF1G0035S-100Broadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314348CLF1G0035S-100PBroadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314349CLF1G0035S-50Broadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314350CLF1G0060-10Broadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314351CLF1G0060-30Broadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314352CLF1G0060S-10Broadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314353CLF1G0060S-30Broadband RF capacidade de GaN HEMTNXP Semiconductors
314354CLH01Diodo de alta eficiência (HED)TOSHIBA
314355CLH05Diodo de alta eficiência (HED)TOSHIBA
314356CLI200INTERRUPTORES ÓTICOSClairex Technologies
314357CLI210INTERRUPTORES ÓTICOSClairex Technologies
314358CLI220INTERRUPTORES ÓTICOSClairex Technologies
314359CLI230INTERRUPTORES ÓTICOSClairex Technologies
314360CLI250interruptor entalhado Secundário-diminuto, hsg do plástico da largura do entalhe de 2mmClairex Technologies
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