| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 351921 | CZ5353B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351922 | CZ5354B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351923 | CZ5355B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351924 | CZ5356B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351925 | CZ5357B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351926 | CZ5358B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351927 | CZ5359B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351928 | CZ5360B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351929 | CZ5361B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351930 | CZ5362B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351931 | CZ5363B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351932 | CZ5364B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351933 | CZ5365B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351934 | CZ5366B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351935 | CZ5367B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351936 | CZ5368B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351937 | CZ5369B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351938 | CZ5370B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351939 | CZ5371B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351940 | CZ5372B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351941 | CZ5373B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351942 | CZ5374B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351943 | CZ5375B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351944 | CZ5376B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351945 | CZ5377B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351946 | CZ5378B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351947 | CZ5379B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351948 | CZ5380B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351949 | CZ5381B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351950 | CZ5382B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351951 | CZ5383B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351952 | CZ5384B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351953 | CZ5385B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351954 | CZ5386B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351955 | CZ5387B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351956 | CZ5388B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 351957 | CZ80PIO | É consultado em seguida como ao PIO, um dispositivo doDuplo-Porto | etc |
| 351958 | CZA04S CZA06S | Combinar de superfície do atenuador, da tolerância da microplaqueta da montagem e temperatura que seguem o superior aos componentes individuais, poder de entrada máximo: 75 miliwatts para CZA06S; 40 miliwatts para CZA04S, escala de f | Vishay |
| 351959 | CZR1-04 | RETIFICADOR DE SUPERFÍCIE DA ALTA TENSÃO DA MONTAGEM | Central Semiconductor |
| 351960 | CZR1-04C | RETIFICADOR DE SUPERFÍCIE DA ALTA TENSÃO DA MONTAGEM | Central Semiconductor |
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