| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 392721 | EB2-9TNUH-L | ESTOJO COMPACTO E TIPO DE POUCO PESO DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | NEC |
| 392722 | EB2-9TNUH-R | ESTOJO COMPACTO E TIPO DE POUCO PESO DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | NEC |
| 392723 | EB2-9TNUL | ESTOJO COMPACTO E TIPO DE POUCO PESO DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | NEC |
| 392724 | EB2-9TNUL-L | ESTOJO COMPACTO E TIPO DE POUCO PESO DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | NEC |
| 392725 | EB2-9TNUL-R | ESTOJO COMPACTO E TIPO DE POUCO PESO DA MONTAGEM DE SUPERFÍCIE | NEC |
| 392726 | EB212 | Usando impedances da folha de dados para dispositivos do RF LDMOS | Motorola |
| 392727 | EB311 | Programação do Em-Circuito da memória FLASH usando amodalidade do monitor para o MC68HC908SR12 | Motorola |
| 392728 | EB346 | Boletim De Engenharia Do Setor Dos Produtos Do Semicondutor | Motorola |
| 392729 | EB350 | Primeiramente como um microcontrolador expandido da modalidade | Freescale (Motorola) |
| 392730 | EB38 | MEDINDO A DISTORÇÃO DO INTERMODULATION DE AMPLIFICADORES LINEARES | Motorola |
| 392731 | EB4 | Terminais duplos do readout, o padrão e o direito do ângulo, chapeamento de ouro seletivo, polarization entre as posições do contato, reconhecidas sob o programa componente dos laboratórios Inc dos underwriters' (a lima E65524, pro | Vishay |
| 392732 | EB4 HI TEMP | Alta temperatura (vidro reforçado), readout duplo, contatos elevados da liga da Cobre-Niquel-Lata da confiabilidade ou contatos do ouro, reconhecidos sob o programa componente dos laboratórios Inc dos underwriters' (lima E65524) | Vishay |
| 392733 | EB413 | Restaurando MCUs | Motorola |
| 392734 | EB6 | Terminais duplos do readout, o padrão e o direito do ângulo, chapeamento de ouro seletivo, polarization entre as posições do contato, reconhecidas sob o programa componente dos laboratórios Inc dos underwriters' (a lima E65524, pro | Vishay |
| 392735 | EB6 HI TEMP | Alta temperatura (vidro reforçado), readout duplo, contatos elevados da liga da Cobre-Niquel-Lata da confiabilidade ou contatos do ouro, reconhecidos sob o programa componente dos laboratórios Inc dos underwriters' (lima E65524) | Vishay |
| 392736 | EB622 | Boletim De Engenharia | Motorola |
| 392737 | EB7 HI TEMP | Alta temperatura (vidro reforçado), readout duplo, contatos elevados da liga da Cobre-Niquel-Lata da confiabilidade ou contatos do ouro, reconhecidos sob o programa componente dos laboratórios Inc dos underwriters' (lima E65524) | Vishay |
| 392738 | EB7D | O readout duplo, chapeamento de ouro seletivo, polarization entre posições do contato, chave polarizando é nylon reforçado, entrada protegida | Vishay |
| 392739 | EB7S | O único readout, chapeamento de ouro seletivo, polarization entre posições do contato, chave polarizando é nylon reforçado, entrada protegida | Vishay |
| 392740 | EB8 | Readout duplo, chapeamento de ouro seletivo, polarization entre as posições do contato, reconhecidas sob o programa componente dos laboratórios Inc dos underwriters' (a lima E65524, projeta 77CH3889) | Vishay |
| 392741 | EB8 HI TEMP | Alta temperatura (vidro reforçado), readout duplo, contatos elevados da liga da Cobre-Niquel-Lata da confiabilidade ou contatos do ouro, reconhecidos sob o programa componente dos laboratórios Inc dos underwriters' (lima E65524) | Vishay |
| 392742 | EBC | Capacitores eletrolíticos de alumínio, terminação axial do anel da solda do estilo EBC/EGC do capacitor como EGC03 | Vishay |
| 392743 | EBD11ED8ABFB | 1GB DDR unbuffered SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (palavras de 128M. 72 bocados, 2 bancos) | Elpida Memory |
| 392744 | EBD11ED8ABFB-6B | 1GB DDR unbuffered SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (palavras de 128M. 72 bocados, 2 bancos) | Elpida Memory |
| 392745 | EBD11ED8ABFB-7A | 1GB DDR unbuffered SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (palavras de 128M. 72 bocados, 2 bancos) | Elpida Memory |
| 392746 | EBD11ED8ABFB-7B | 1GB DDR unbuffered SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (palavras de 128M. 72 bocados, 2 bancos) | Elpida Memory |
| 392747 | EBD11UD8ABFB | 1GB DDR Unbuffered SDRAM DIMM | Elpida Memory |
| 392748 | EBD11UD8ABFB-6B | 1GB DDR Unbuffered SDRAM DIMM | Elpida Memory |
| 392749 | EBD11UD8ABFB-7A | 1GB DDR Unbuffered SDRAM DIMM | Elpida Memory |
| 392750 | EBD11UD8ABFB-7B | 1GB DDR Unbuffered SDRAM DIMM | Elpida Memory |
| 392751 | EBD21RD4ABNA | DDR Registado 2GB SDRAM DIMM | Elpida Memory |
| 392752 | EBD21RD4ABNA-10 | DDR Registado 2GB SDRAM DIMM | Elpida Memory |
| 392753 | EBD21RD4ABNA-7A | DDR Registado 2GB SDRAM DIMM | Elpida Memory |
| 392754 | EBD21RD4ABNA-7B | DDR Registado 2GB SDRAM DIMM | Elpida Memory |
| 392755 | EBM | Capacitores eletrolíticos de alumínio, estilo diminuto axial ELM/EBM/EGM do capacitor, terminação do anel da solda como EGM03 | Vishay |
| 392756 | EBO1 | LÓGICA INDEPENDENTE TRIPLA MEIAS PONTES CONECTARADAS | Apex Microtechnology Corporation |
| 392757 | EBO2 | LÓGICA INDEPENDENTE TRIPLA MEIAS PONTES CONECTARADAS | Apex Microtechnology Corporation |
| 392758 | EBO3 | LÓGICA INDEPENDENTE TRIPLA MEIAS PONTES CONECTARADAS | Apex Microtechnology Corporation |
| 392759 | EBS11RC4ACNA | SDRAM Registado 1 Gb DIMM | Elpida Memory |
| 392760 | EBS11RC4ACNA-75 | SDRAM Registado 1 Gb DIMM | Elpida Memory |
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