Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
48481 | 2N6250 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
48482 | 2N6250 | 375V, 30A, 175W de silício NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
48483 | 2N6251 | Transistor de NPN | Microsemi |
48484 | 2N6251 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
48485 | 2N6251 | 450V, 30A, 175W de silício NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
48486 | 2N6253 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
48487 | 2N6253 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48488 | 2N6253 | 45V alta potência de silício NPN transistor | Comset Semiconductors |
48489 | 2N6253 | Alto poder de silício NPN transistor. 55V, 115W. | General Electric Solid State |
48490 | 2N6254 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48491 | 2N6254 | Transistor Do Silicone | Advanced Semiconductor |
48492 | 2N6254 | 80V alta potência de silício NPN transistor | Comset Semiconductors |
48493 | 2N6254 | Alto poder de silício NPN transistor. 100V, 150W. | General Electric Solid State |
48494 | 2N6255 | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS DISCRETOS DO RF & DA MICROONDA | Microsemi |
48495 | 2N6257 | Transistor Do Pacote Do Poder TO-3 (NPN) | Unknow |
48496 | 2N6257 | Transistor Do Pacote Do Poder TO-3 (NPN) | Unknow |
48497 | 2N6259 | PODER TRANSISTORS(16A, 150v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
48498 | 2N6259 | De alta tensão, alta transistor de potência. 170V, 250W. | General Electric Solid State |
48499 | 2N6260 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48500 | 2N6261 | TRANSISTOR MÉDIO DO SILICONE NPN DO PODER DE HOMETAXIAL-BASE | SemeLAB |
48501 | 2N6261 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48502 | 2N6262 | Silício de alta tensão NPN transistor. 170V, 150W. | General Electric Solid State |
48503 | 2N6263 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48504 | 2N6263 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
48505 | 2N6263 | Poder silício Médio NPN transistor. 140V, 20W. | General Electric Solid State |
48506 | 2N6264 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
48507 | 2N6264 | Poder silício Médio NPN transistor. 170V, 50W. | General Electric Solid State |
48508 | 2N6270 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3. | SemeLAB |
48509 | 2N6274 | Transistor de NPN | Microsemi |
48510 | 2N6274 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER NPN | ON Semiconductor |
48511 | 2N6275 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER NPN | ON Semiconductor |
48512 | 2N6276 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
48513 | 2N6277 | Transistor de NPN | Microsemi |
48514 | 2N6277 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER NPN | ON Semiconductor |
48515 | 2N6282 | PODER TRANSISTORS(20A, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
48516 | 2N6282 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE DARLINGTON COPLEMENTARY | Boca Semiconductor Corporation |
48517 | 2N6282 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
48518 | 2N6282 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE DE DARLINGTON | ON Semiconductor |
48519 | 2N6282 | 20 A NPN complementar e PNP transistor de potência Darlington monolítico. Classificação 60 V (min) de alta tensão. 160 W. | General Electric Solid State |
48520 | 2N6283 | Transistor de NPN Darlington | Microsemi |
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