|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 14971 | 14972 | 14973 | 14974 | 14975 | 14976 | 14977 | 14978 | 14979 | 14980 | 14981 | >>
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
599001K4F170812DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599002K4F170812D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
599003K4F170812D-F2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
599004K4F171611DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599005K4F171611D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
599006K4F171611D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
599007K4F171612DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599008K4F171612D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
599009K4F171612D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
599010K4F640412DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com modalidade rápidada páginaSamsung Electronic
599011K4F640412D-JC_LRAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
599012K4F640412D-TC_LRAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
599013K4F640811BRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599014K4F640811B-JC-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
599015K4F640811B-JC-50RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
599016K4F640811B-JC-60RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
599017K4F640811B-TC-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
599018K4F640811B-TC-50RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
599019K4F640811B-TC-60RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic



599020K4F640812DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599021K4F640812D-JC_LRAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
599022K4F640812D-TC_LRAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo.Samsung Electronic
599023K4F641612BRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599024K4F641612B-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599025K4F641612B-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599026K4F641612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
599027K4F641612B-TC50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599028K4F641612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
599029K4F641612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
599030K4F641612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
599031K4F641612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
599032K4F641612CRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599033K4F641612C-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599034K4F641612C-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599035K4F641612C-TC454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
599036K4F641612C-TC504M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50nsSamsung Electronic
599037K4F641612C-TC604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
599038K4F641612C-TL454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
599039K4F641612C-TL50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599040K4F641612C-TL604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 14971 | 14972 | 14973 | 14974 | 14975 | 14976 | 14977 | 14978 | 14979 | 14980 | 14981 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com