Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
599001 | K4F170812D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599002 | K4F170812D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
599003 | K4F170812D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
599004 | K4F171611D | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599005 | K4F171611D-J | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
599006 | K4F171611D-T | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
599007 | K4F171612D | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599008 | K4F171612D-J | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
599009 | K4F171612D-T | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
599010 | K4F640412D | RAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com modalidade rápidada página | Samsung Electronic |
599011 | K4F640412D-JC_L | RAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo. | Samsung Electronic |
599012 | K4F640412D-TC_L | RAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo. | Samsung Electronic |
599013 | K4F640811B | RAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599014 | K4F640811B-JC-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599015 | K4F640811B-JC-50 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599016 | K4F640811B-JC-60 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599017 | K4F640811B-TC-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599018 | K4F640811B-TC-50 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599019 | K4F640811B-TC-60 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599020 | K4F640812D | RAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599021 | K4F640812D-JC_L | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo. | Samsung Electronic |
599022 | K4F640812D-TC_L | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 4K atualizar ciclo. | Samsung Electronic |
599023 | K4F641612B | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599024 | K4F641612B-L | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599025 | K4F641612B-TC | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599026 | K4F641612B-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
599027 | K4F641612B-TC50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599028 | K4F641612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
599029 | K4F641612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
599030 | K4F641612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
599031 | K4F641612B-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
599032 | K4F641612C | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599033 | K4F641612C-L | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599034 | K4F641612C-TC | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599035 | K4F641612C-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
599036 | K4F641612C-TC50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
599037 | K4F641612C-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
599038 | K4F641612C-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
599039 | K4F641612C-TL50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
599040 | K4F641612C-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
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