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| | Primeira página | Todos os fabricantes | Pela Função | |
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| IRF610 Manufaturado perto: | 
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 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.5A. Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF611, IRF613, IRF612, |
Pdf da folha de dados do download IRF610 datasheet do General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
 | 3.3A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.500 Ohm | Pdf da folha de dados do download IRF610 datasheet do Intersil |
pdf 60 kb |
 | 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, Mosfet Do Poder Da N-Canaleta | Pdf da folha de dados do download IRF610 datasheet do Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
 | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF610PBF, |
Pdf da folha de dados do download IRF610 datasheet do International Rectifier |
pdf 180 kb |
| IRF5YZ48CM | Vista IRF610 a nosso catálogo | IRF610-613 |