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MJE18002D2-D Manufaturado perto: |
Transistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e TRANSISTOR de PODER eficientes internos da rede de Antisaturation 2 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 WATTS | Pdf da folha de dados do download MJE18002D2-D datasheet do ON Semiconductor |
PDF 60 kb |
MJE18002D2 | Vista MJE18002D2-D a nosso catálogo | MJE18004 |