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| MJE18004D2-D Manufaturado perto: | 
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 | Transistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e TRANSISTOR de PODER eficientes internos da rede de Antisaturation 5 AMPÈRES 1000 VOLTS 75 WATTS | Pdf da folha de dados do download MJE18004D2-D datasheet do ON Semiconductor |
PDF 203 kb |
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